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패키지 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143310
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은 상면에 칩탑재영역을 포함하는 캐비티가 형성되고, 실리콘으로 이루어지는 웨이퍼, 상기 캐비티 내에 연장되어 형성된 제1 배선층 및 상기 제1 배선층과 이격되어 형성된 제2 배선층, 상기 칩탑재영역에 위치하여 상기 제1 배선층 및 상기 제2 배선층과 접속되는 칩, 상기 웨이퍼를 관통하는 관통홀 및 상기 관통홀을 충진하는 비아 전극 및 상기 비아 전극과 연결되는 적어도 하나의 전자소자를 포함하는 패키지 기판의 제조방법을 제공한다.본 발명의 실시예에 따르면, 패턴 사이즈는 감소시키고 부품 실장 밀도는 증가시키면서도 소정의 용량을 갖는 수동 소자를 내장할 수 있는 패키지 기판의 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 23/12 (2006.01) H05K 1/02 (2006.01) H05K 1/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100032244 (2010.04.08)
출원인 삼성전기주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1179386-0000 (2012.08.28)
공개번호/일자 10-2011-0112974 (2011.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.08)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승욱 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 권영도 미국 서울특별시 송파구
3 김장현 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 박태석 대한민국 경기도 수원시 팔달구
5 서수정 대한민국 경기도 수원시 권선구
6 장재권 대한민국 전라남도 고흥군
7 김남정 대한민국 경기도 수원시 장안구
8 임승규 대한민국 경기도 의왕시 흥안대로***번길 *
9 이광근 대한민국 강원도 원주시 남부시장길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0224306-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0035215-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293934-20
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0567191-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0567190-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0639936-37
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1049208-77
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1049209-12
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0116376-36
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0248162-33
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0248163-89
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0218740-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0470583-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
18 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0476342-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘으로 이루어지는 웨이퍼의 상면에 칩탑재영역을 포함하는 캐비티를 형성하는 단계;상기 웨이퍼를 관통하는 관통홀 및 상기 관통홀을 충진하는 비아 전극을 형성하는 단계;상기 캐비티 내에 연장되는 제1 배선층 및 상기 제1 배선층과 이격되는 제2 배선층을 형성하는 단계; 및상기 제1 배선층 및 상기 제2 배선층과 접속되도록 상기 캐비티 내에 칩을 실장하는 단계;를 포함하고,상기 캐비티를 형성하는 단계는,상기 웨이퍼의 상면에 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막을 식각하여 상기 캐비티 형성을 위한 제1 절연 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 절연 패턴을 이용하여 상기 웨이퍼를 식각하여 상기 캐비티를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 캐비티를 형성하는 단계 이전에,상기 웨이퍼의 상면 및 하면 중 적어도 어느 한 면을 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
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10 10
제7항에 있어서,상기 웨이퍼를 식각하여 상기 캐비티를 형성하는 단계는,상기 웨이퍼를 수산화 칼륨(KOH) 용액을 이용한 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
11 11
제7항에 있어서,상기 관통홀을 형성하는 단계는,상기 웨이퍼의 상면 또는 하면에 제1 감광성 수지층을 형성하는 단계;상기 제1 감광성 수지층을 노광 및 현상하여 제1 감광성 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 감광성 패턴을 이용하여 상기 웨이퍼를 식각하여 상기 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
12 12
제7항에 있어서,상기 비아 전극을 형성하는 단계는,상기 관통홀 및 상기 캐비티를 포함하는 상기 웨이퍼의 표면에 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막 상에 도금 시드층을 형성하는 단계; 및전해 도금법을 이용하여 상기 관통홀에 도전성 물질을 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
13 13
제7항에 있어서,상기 제1 배선층 및 상기 제2 배선층을 형성하는 단계는,상기 웨이퍼의 상기 제1 배선층 및 상기 제2 배선층이 형성되지 않는 영역에 제2 감광성 패턴을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 상면에 배선 물질을 형성하는 단계; 및상기 제2 감광성 패턴 및 상기 제2 감광성 패턴 상에 형성된 상기 배선 물질을 리프트-오프(lift-off)법을 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
14 14
제7항에 있어서,상기 캐비티 내에 칩을 실장하는 단계 이후에,상기 웨이퍼를 리플로우하여 상기 칩과 상기 제1 배선층 및 상기 칩과 상기 제2 배선층을 각각 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
15 15
제7항에 있어서,상기 칩은 적층칩세라믹캐패시터(MLCC)인 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
16 16
제7항에 있어서,상기 비아 전극에 전자소자를 접속하는 단계를 더 포함하고,상기 전자소자는 레지스터 및 인덕터 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
17 17
제7항에 있어서,상기 칩 및 전자소자를 덮으면서 상기 제1 배선층 및 상기 제2 배선층의 일부를 노출하는 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
18 18
제7항에 있어서,상기 비아 전극과 전자소자 또는 외부소자를 솔더 범프를 통하여 접속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 CN102214628 CN 중국 FAMILY
2 US08951835 US 미국 FAMILY
3 US20110248408 US 미국 FAMILY
4 US20140051212 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102214628 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102214628 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2011248408 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2014051212 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8951835 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.