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컷아웃 주위에 이중 적층 전자기 밴드갭 구조를 가지는 반도체 패키지 기판

  • 기술번호 : KST2014011680
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 패키지 기판은 접지 전압을 제공하는 그라운드 플레인, 전원 전압을 제공하고, 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인, 그라운드 플레인 또는 파워 플레인에 위치하는 컷아웃, 그라운드 플레인과 파워 플레인 사이에 위치하고, 컷아웃을 둘러싸는 복수의 제1 전자기 밴드갭 플레인들, 및 그라운드 플레인과 파워 플레인 사이에 위치하고, 컷아웃을 둘러싸며, 제1 전자기 밴드갭 플레인들과 적층 구조로 형성되는 복수의 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 포함한다. 따라서 반도체 패키지 기판은 컷아웃 주위에 이중 적층 전자기 밴드갭 구조를 포함함으로써 컷아웃을 통하여 발생하는 노이즈를 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 23/12 (2006.01)
CPC H01L 23/552(2013.01) H01L 23/552(2013.01) H01L 23/552(2013.01)
출원번호/일자 1020080007526 (2008.01.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0914149-0000 (2009.08.20)
공개번호/일자 10-2009-0081580 (2009.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20090828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정호 대한민국 대전 유성구
2 박종배 대한민국 강원 삼척시
3 유정식 대한민국 충남 부여군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0060351-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0081321-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0192283-66
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0399724-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0399754-66
7 등록결정서
Decision to grant
2009.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0342520-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
접지 전압을 제공하는 그라운드 플레인; 전원 전압을 제공하고, 상기 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인; 상기 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 그라운드 플레인 또는 상기 파워 플레인에 형성된 컷아웃을 둘러싸는 복수의 제1 전자기 밴드갭 플레인들; 및 상기 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 컷아웃을 둘러싸며, 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들과 적층 구조로 형성되는 복수의 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 포함하고, 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들은 상응하도록 적층되는 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인을 거쳐 상기 파워 플레인에 각각 연결되고, 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인은 상기 그라운드 플레인에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인들의 면적은 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들의 면적보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들의 개수는 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인들의 개수보다 더 많은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 면적과 상기 개수는 요구되는 주파수 대역에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들은 정사각형 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들 4개가 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인 1개에 상응하도록 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
7 7
삭제
8 8
접지 전압을 제공하는 그라운드 플레인; 전원 전압을 제공하고, 상기 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인; 상기 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 그라운드 플레인 또는 상기 파워 플레인에 형성된 컷아웃을 둘러싸는 복수의 제1 전자기 밴드갭 플레인들; 및 상기 그라운드 플레인과 상기 파워 플레인 사이에 위치하고, 상기 컷아웃을 둘러싸며, 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들과 적층 구조로 형성되는 복수의 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 포함하고, 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들은 상응하도록 적층되는 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인을 거쳐 상기 그라운드 플레인에 각각 연결되고, 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인은 상기 파워 플레인에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판
9 9
접지 전압을 제공하는 그라운드 플레인을 형성하는 단계; 전원 전압을 제공하는, 상기 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인을 형성하는 단계; 및 상기 그라운드 플레인 또는 상기 파워 플레인에 형성된 컷아웃을 둘러싸는 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 상기 파워 플레인과 상기 그라운드 플레인 사이에 적층시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 적층시키는 단계는 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들을 상응하도록 적층되는 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인을 거쳐 상기 파워 플레인에 각각 연결시키고, 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인을 상기 그라운드 플레인에 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 적층시키는 단계는 요구되는 주파수 대역에 따라 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들의 면적과 개수를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 적층시키는 단계는 정사각형 구조의 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인을 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 적층시키는 단계는 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인 4개를 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인 1개에 상응하도록 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
접지 전압을 제공하는 그라운드 플레인을 형성하는 단계; 전원 전압을 제공하는, 상기 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인을 형성하는 단계; 및 상기 그라운드 플레인 또는 상기 파워 플레인에 형성된 컷아웃을 둘러싸는 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 상기 파워 플레인과 상기 그라운드 플레인 사이에 적층시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전자기 밴드갭 플레인들을 적층시키는 단계는 상기 제1 전자기 밴드갭 플레인들을 상응하도록 적층되는 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인을 거쳐 상기 그라운드 플레인에 각각 연결시키고, 상기 제2 전자기 밴드갭 플레인을 상기 파워 플레인에 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 전기 및 전자공학부 KAIST IT신성장동력핵심기술개발 고성능 극소형 SiP 기술 개발