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엘티씨씨 모듈

  • 기술번호 : KST2014011674
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 엘티씨씨 모듈에 관한 것으로서, 양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 상기 상측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 상측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인; 상기 하측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 하측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인; 및 적어도 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인과 선택적으로 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하여 구성된다.
Int. CL H05K 1/02 (2006.01) H05K 1/14 (2006.01) H05K 1/09 (2006.01)
CPC H05K 1/115(2013.01)H05K 1/115(2013.01)H05K 1/115(2013.01)
출원번호/일자 1020080007772 (2008.01.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0923446-0000 (2009.10.19)
공개번호/일자 10-2009-0081731 (2009.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20091027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 대전 유성구
2 김철영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 유완식 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층 *T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0062105-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002827-55
4 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0428447-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 상기 상측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 상측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인; 상기 하측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 하측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인; 및 적어도 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인과 선택적으로 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
2 2
제1항에 있어서, 상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
3 3
제1항에 있어서, 상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되고, 상기 다수의 그라운드 비아 중 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
4 4
제3항에 있어서, 상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인 또는 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아를 제외한 나머지 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
5 5
제1항에 있어서, 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
6 6
제1항에 있어서, 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
7 7
제1항에 있어서, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
8 8
양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 및 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
9 9
제8항에 있어서, 상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
10 10
제8항에 있어서, 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
11 11
제8항에 있어서, 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
12 12
제8항에 있어서, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 하는 엘티씨씨 모듈
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