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(S1) 반도체 기판 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 일정 패턴의 트렌치 또는 비아홀을 형성하는 단계;(S2) 상기 반도체 기판 상에 형성된 상기 트렌치 또는 비아홀의 상단 또는 입구를 이온 주입 방법을 사용하여 수소를 포함한 흡착억제제 기체로 처리하는 단계; 및(S3) 상기 반도체 기판 상에 형성된 트렌치 또는 비아홀에 도전물질을 증착하는 단계;를 포함하는 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 (S1) 단계에서 절연층 상에 일정 패턴의 트렌치 또는 비아홀을 형성한 후, 상기 트렌치 또는 비아홀이 형성된 반도체 기판 상에 상기 도전층의 확산을 방지하기 위한 확산방지층을 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 도전물질은 구리 또는 구리합금임을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 3에 있어서,상기 구리합금을 이용한 상기 도전층의 형성은, 구리전구체에 알루미늄(Al), 은(Ag), 코발트(Co), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta) 및 주석(Sn) 중에서 선택된 어느 하나를 주성분으로 포함하는 금속전구체들 중에서 적어) 하나의 전구체를 더 추가하여 수행됨을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 (S2) 단계에서 이온 주입 방법은 이온 임플란테이션 또는 펄스 또는 DC 플라즈마 이온 주입 방법인 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 (S2) 단계에서는 상기 반도체 기판을 바닥면을 기준으로 기울인 상태에서 이온 주입 방법을 수행함으로써, 반도체 기판 상의 트렌치 또는 비아홀의 상부 및 입구 근처만을 수소를 포함한 흡착억제제 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 6에 있어서,상기 (S2) 단계에서 상기 반도체 기판이 바닥면으로부터 0초과 45도 이하로 기울어진 상태에서 이온 주입 방법이 수행되는 것을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 수소를 포함한 흡착억제제 기체는 H2, NH3, N2H2, H2S, HI, CH4, C2H2, 및 C2H6 를 포함하는 수소(H)가 있는 기체분자들 중에서 선택된 어느 하나의 기체분자, 또는 상기 선택된 어느 하나의 기체분자의 플라즈마로부터 생성된 수소를 포함한 이온임을 특징으로 하는, 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법
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