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그래핀에 지지된 금속 성분을 포함하는 복합체, 그의 제조방법 및 용도

  • 기술번호 : KST2015143500
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀에 지지된 금속 성분을 포함하는 복합체, 상기 복합체의 제조 방법 및, 상기 복합체의 용도에 관한 것이다. 상기 복합체는 오염물 제거에 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL B01J 20/20 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01) B01D 53/02 (2006.01)
CPC B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01) B01J 20/0229(2013.01)
출원번호/일자 1020110100845 (2011.10.04)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0036639 (2013.04.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.30)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 프레신짓트 부니아 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0774026-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0950953-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0950929-16
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0010391-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001569-13
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0218000-73
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0507810-93
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0507809-46
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0583585-10
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0932732-87
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0932733-22
17 등록결정서
Decision to grant
2019.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0068073-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀에 지지된 금속 성분을 포함하는 복합체로서, 상기 금속 성분은 0가 금속 (zero valent metal) 및 0가 금속의 산화물을 함유하고,상기 그래핀은 복수의 그래핀 층들을 포함하며, 상기 금속 성분 중 상기 0가 금속의 산화물은 상기 그래핀 층들 사이에 삽입되어 있고 상기 0가 금속은 상기 그래핀 층 표면에 지지되어 있는 것인, 복합체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 성분은 Fe, Pd, Pt, Au, Ru, Ir, Rd, Ti, Co, Ni, Cu, Zn, Cr, V, Al, Sn, In, Ce, Mo, Ag, Se, Te, Y, Eu, Nb, Sm, Nd, Ga, Gd 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 0가 금속 (zero valent metal) 및 0가 금속의 산화물을 함유하는 것인, 복합체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 복합체는 다공성(porous)인, 복합체
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 금속 성분은 나노입자 형태를 가지는 것인, 복합체
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체를 포함하는, 오염물 제거용 조성물
8 8
제 7 항에 있어서,물 또는 유기 용매에 함유된 오염물을 제거하기 위하여 사용되는 것인, 오염물 제거용 조성물
9 9
제 8 항에 있어서,상기 오염물은, 중금속 또는 그의 양이온, 유기 오염물질, 무기 오염물질, 미생물 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 오염물 제거용 조성물
10 10
제 9 항에 있어서,상기 중금속 또는 그의 양이온은 비소(As), 크롬(Cr), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 수은(Hg) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 그의 양이온을 포함하는 것인, 오염물 제거용 조성물
11 11
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체를 이용하여 오염물을 흡착하여 제거하는 것을 포함하는, 오염물 제거 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 오염물은 물 또는 유기 용매에 함유된 것인, 오염물 제거 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 복합체는 고정상 컬럼(fixed-bed column) 에 채워져 있거나 또는 고정상 표면에 지지된 것인, 오염물 제거 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 오염물은, 중금속 또는 그의 양이온, 유기 오염물질, 무기 오염물질, 미생물 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 오염물 제거 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 중금속 또는 그의 양이온은 비소(As), 크롬(Cr), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 수은(Hg) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 그의 양이온을 포함하는 것인, 오염물 제거 방법
16 16
그래핀 옥사이드와 금속 화합물을 함유하는 수용액을 준비하는 단계;상기 수용액에 환원제의 염기성 용액을 첨가하여 상기 그래핀 옥사이드를 환원시켜 환원그래핀옥사이드에 지지된 금속의 산화물을 포함하는 혼합 용액을 수득하는 단계;상기 혼합 용액에 함유된 용매를 제거하여 상기 환원그래핀옥사이드에 지지된 금속의 산화물을 포함하는 혼합물을 수득하는 단계; 및,상기 환원그래핀옥사이드에 지지된 금속의 산화물을 포함하는 혼합물을 환원 분위기 하에서 가열하여 상기 금속의 산화물의 일부 또는 전체를 환원시키는 단계를 포함하는, 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 단계들은 비활성 분위기 하에서 수행되는 것인, 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 가열하는 단계에서 가열 온도는 400℃ 내지 600℃인, 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체의 제조 방법
19 19
제 16 항에 있어서,상기 금속 화합물은 상기 금속의 할라이드 염을 포함하는 것인, 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체의 제조 방법
20 20
제 16 항에 있어서,상기 환원제는 H2, NaBH4, SO2, CH4, NH3, N2H4, H2S, HI및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 복합체의 제조 방법
21 21
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1 US20130105400 US 미국 FAMILY

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1 US2013105400 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교산학협력단 창의적연구지원사업 2단계3/3차년도(6/9년) 기능성 분자메모리 연구단