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소듐 및 바나듐을 포함하는 용액을 기판상에 도포하는 단계;상기 기판을 1차 열처리하여 소듐 바나데이트 결정핵을 생성하는 단계; 및상기 기판을 2차 열처리하여 상기 소듐 바나데이트 결정핵으로부터 소듐 바나데이트 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용액은 소듐 소스 및 바나듐 소스를 포함하고, 상기 소듐 소스 및 상기 바나듐 소스 중 적어도 하나는 산소를 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 소듐 소스는 소듐니트레이트, NaCl, 소듐시트레이트, 소듐알콕사이드, 소듐 메타크릴레이트 및 소듐나프테네이트으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 바나듐 소스는 암모늄 메타바나데이트, 바나듐(V) 옥시트리프로폭사이드, 바나듐(III) 이소프로폭사이드, 바나듐 알콕사이드, 바나듐 메타크릴레이트 및 바나듐 나프테네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용액은 소듐 1몰당 바나듐 1~6몰을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용액은 물을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용액은 산성 물질을 추가로 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 산성 물질은 염산, 질산, 황산, 초산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 용액의 pH는 1~6인 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 전기 전도성 기판 또는 전기 비전도성 기판인 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전기 전도성 기판은, ITO(indium tin oxide), Ge 및 금 코팅된 SiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전기 비전도성 기판은 실리콘, 이산화규소 및 사파이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도포는 드롭핑, 스핀 코팅 또는 디핑에 의해 수행되는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판상에 도포되는 상기 용액의 두께는 10㎚~1,000㎚인 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 1차 열처리는 70~130℃의 온도에서 수행되는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 2차 열처리는 300~600℃의 온도에서 수행되는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소듐 바나데이트 나노와이어는 β-NaxV2O5(0003c#x≤0
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제17항에 있어서,상기 소듐 바나데이트 나노와이어는 β-Na0
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제17항 또는 제18항에 있어서,상기 소듐 바나데이트 나노와이어는 단결정 구조를 갖는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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제17항 또는 제18항에 있어서,상기 소듐 바나데이트 나노와이어는 5㎚~1,000㎚의 직경 및 10㎚~100㎛의 길이를 갖는 소듐 바나데이트 나노와이어의 제조방법
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