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그래핀 구조체, 이를 포함한 그래핀 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015143834
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	그래핀 구조체의 제조방법, 그 그래핀 구조체 및 이를 포함하는 그래핀 소자를 제공한다. 본 그래핀 구조체의 제조 방법은, 탄화규소 기판상에 금속층을 증착하는 단계; 및 상기 금속층이 증착된 상기 탄화규소를 제1 온도에서 열처리함으로써, 상기 탄화규소 기판상에 상기 금속이 함유된 복합층 및 그래핀층을 형성하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL	B01J 6/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC	C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자	1020120151337 (2012.12.21)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0090716 (2014.07.18) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.03.27)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	안종렬	대한민국	경기 수원시 장안구
2	신하철	대한민국	경기 수원시 장안구
3	송인경	대한민국	경기 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교 산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.12.21	수리 (Accepted)	1-1-2012-1067520-64
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2017.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-0297086-82
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2018.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2018.05.08	수리 (Accepted)	9-1-2018-0019680-38
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.09.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0611667-68
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.11.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-1101271-06
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.11.06	수리 (Accepted)	1-1-2018-1101270-50
9	등록결정서 Decision to grant	2019.02.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0145308-74

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 탄화규소 기판을 1010℃ 내지 1100℃의 온도에서 열처리하는 단계;열처리된 상기 탄화규소 기판상에 금속층을 증착하는 단계; 및 상기 금속층이 증착된 상기 탄화규소 기판을 810℃ 내지 900℃ 온도에서 열처리함으로써, 상기 탄화규소 기판상에 상기 금속이 함유된 복합층 및 단일층으로서의 그래핀층을 형성하는 단계; 를 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제 1항에 있어서, 상기 탄화규소 기판 중 상기 금속층이 증착되는 표면은 규소와 탄소가 불균일하게 분포되어 있는 그래핀 구조체의 제조 방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 금속층의 증착은 실온에서 수행되는 그래핀 구조체의 제조 방법
6	6 삭제
7	7 제 1항에 있어서, 상기 금속이 함유된 복합층은 금속-규소 화합물 및 금속 물질 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
8	8 제 7항에 있어서, 상기 금속-규소 화합물은 상기 탄화규소 기판의 표면 중 규소가 많은 영역상에 형성되는 그래핀 구조체의 제조 방법
9	9 제 7항에 있어서, 상기 금속 물질은 상기 탄화규소 기판의 표면 중 탄소가 많은 영역상에 형성되는 그래핀 구조체의 제조 방법
10	10 제 1항에 있어서, 상기 그래핀층은 단일층인 그래핀 구조체의 제조 방법
11	11 제 1항에 있어서,상기 그래핀층은, 전하적으로 중성인 그래핀 구조체의 제조 방법
12	12 제 1항에 있어서, 상기 금속이 함유된 복합층은 상기 탄화규소 기판 및 상기 그래핀층 사이에 형성되는 그래핀 구조체의 제조 방법
13	13 제 1항에 있어서, 상기 탄화규소 기판, 상기 금속이 함유된 복합층 및 그래핀층을 제3 온도에서 열처리함으로써 상기 그래핀층상에 잔존하는 금속을 제거하는 단계;를 더 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
14	14 제 13항에 있어서, 상기 제3 온도는 910℃ 내지 1000℃인 그래핀 구조체의 제조 방법
15	15 제 1항에 있어서, 상기 탄화규소 기판, 상기 금속이 함유된 복합층 및 그래핀층을 제4 온도에서 열처리함으로써 상기 금속이 함유된 복합층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
16	16 제 15항에 있어서, 상기 제4 온도는 1010℃ 내지 1100℃인 그래핀 구조체의 제조 방법
17	17 제 15항에 있어서, 상기 탄화규소 기판과 상기 그래핀층 상에 수소층을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법
18	18 탄화규소 기판;그래핀층; 및상기 탄화규소 기판과 상기 그래핀층 사이에 배치된 수소층;을 포함하고,상기 그래핀층은 전기적으로 중성의 특성을 갖고 단일층인 그래핀 구조체
19	19 삭제
20	20 삭제
21	21 제 18항에 따른 그래핀 구조체; 및 상기 그래핀 구조체상에 형성된 소자층;를 포함하는 그래핀 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09324839	US	미국	FAMILY
2	US20140175458	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2014175458	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US9324839	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.12.21	수리 (Accepted)	1-1-2012-1067520-64
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2017.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-0297086-82
4	선행기술조사의뢰서	2018.03.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2018.05.08	수리 (Accepted)	9-1-2018-0019680-38
6	의견제출통지서	2018.09.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0611667-68
7	[명세서등 보정]보정서	2018.11.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-1101271-06
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.11.06	수리 (Accepted)	1-1-2018-1101270-50
9	등록결정서	2019.02.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0145308-74


과제고유번호	1345170225
세부과제번호	2009-0094023
연구과제명	기초과학연구소
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	성균관대학교(자연과학캠퍼스)
성과제출연도	2012
연구기간	200512~201408
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

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