맞춤기술찾기

이전대상기술

환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조방법 및 그를 이용한 전기 소자

  • 기술번호 : KST2015144342
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브(CNT)를 제조하는 방법과 이러한 방법을 통하여 제조된 탄소 나노튜브 및 그를 포함하는 전기 소자를 개시한다. 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브는 환원제 처리 조건을 변화시킴으로써 탄소 나노튜브의 도핑 정도와 띠 간격 등의 전자적 특성을 광범위하고 용이하게 조절할 수 있는 특징이 있다. 탈도핑, 탄소 나노튜브, 환원제
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) C01B 31/03 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070072673 (2007.07.20)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0931962-0000 (2009.12.07)
공개번호/일자 10-2009-0009422 (2009.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20091215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090107171;
심사청구여부/일자 Y (2007.07.20)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤선미 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 신현진 대한민국 경기 수원시 장안구
3 최재영 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 최성재 대한민국 서울특별시 양천구
5 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구
6 김기강 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0526443-49
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0655225-95
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0027985-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0580329-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0014431-51
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0014432-07
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0167981-30
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0377678-89
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0377677-33
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0372797-99
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2009.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0684523-34
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.11.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0056043-18
14 등록결정서
Decision to grant
2009.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0497270-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
(a) 탄소 나노튜브를 수소화붕소테트라부틸암모늄, 글리콜계 용매 및 디올계 용매 중 어느 하나의 환원제와 반응시켜 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 생성하는 단계 및 (b) 상기 (a) 단계의 반응 혼합물로부터 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전자가 주입된 CNT는 p-형 도핑된 CNT, 중성 도핑된 CNT, n-형 도핑된 CNT 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 (a)단계의 전자가 주입된 CNT는, 환원제의 양, 환원 반응 시간 또는 온도에 따라서, 전자 밀도가 정하여지는 것임을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP21023906 JP 일본 FAMILY
2 KR101014007 KR 대한민국 FAMILY
3 US20090022650 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009023906 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2009022650 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.