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저손상 플라즈마 처리 장치

  • 기술번호 : KST2015144462
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 처리시 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지하는 저손상 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 소스 전극과 스테이지 사이에 배치되며, 도전체로 형성되고, 플라즈마 처리 장치에 구비된 진공 챔버와 전기적으로 절연 상태인 제1 그리드를 포함하여 이루어짐으로써, 불순물 입자 또는 너무 높은 에너지를 가진 플라즈마 입자에 의해 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지한다.
Int. CL H05H 1/46 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01J 37/32908(2013.01) H01J 37/32908(2013.01) H01J 37/32908(2013.01) H01J 37/32908(2013.01) H01J 37/32908(2013.01)
출원번호/일자 1020140134751 (2014.10.07)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1547066-0000 (2015.08.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 강남구
2 김기석 대한민국 인천광역시 부평구
3 김경남 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 김태형 대한민국 서울특별시 강북구
5 임태철 중국 대한민국 ***-**
6 신재희 대한민국 인천광역시 부평구
7 김기현 대한민국 대전광역시 유성구
8 김두산 대한민국 전라남도 순천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0954194-89
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0285902-39
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2015.03.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2015.04.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0021651-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0261772-85
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0394510-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0585998-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0586010-55
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0529834-25
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0779931-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
대상물체의 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,플라즈마 방전용 가스가 주입되는 진공 챔버;상기 진공 챔버 내부에 설치되는 소스 전극;상기 대상물체가 안착되는 스테이지; 및,상기 스테이지와 상기 소스 전극 사이에 배치되어 상기 진공 챔버와 전기적으로 절연되도록 설치되며, 상기 소스 전극에 의해 플라즈마 생성시 전압이 충전되도록 도전체로 이루어지고, 복수 개의 관통홀이 형성된 제1 그리드;를 포함하며,상기 플라즈마 생성시, 상기 제1 그리드에 충전된 전압보다 더 낮은 전압의 플라즈마 입자 및 상기 진공 챔버 내 불순물은 전위차의 인력에 의해 상기 관통홀을 통과하지 못하게 되어 상기 대상물체의 표면에 입사하지 못하도록 제어되고, 상기 제1 그리드에 충전된 전압보다 더 높은 전압의 플라즈마 입자는 상기 관통홀을 통과하여 상기 대상물체의 표면에 입사하도록 제어되는 저손상 플라즈마 처리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 복수 개의 관통홀이 동일한 간격으로 형성되어 있는 저손상 플라즈마 처리 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 관통홀의 간격은 상기 대상물체 표면에 가해지는 플라즈마 처리 밀도에 따라 결정되는 저손상 플라즈마 처리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 관통홀의 폭은 50 이상 내지 300㎛ 이하의 범위를 갖는 저손상 플라즈마 처리 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 그리드와 상기 스테이지 사이에 배치되며, 도전체로 형성되고, 전기적으로 접지 상태인 제2 그리드 더 포함하는 저손상 플라즈마 처리 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2 그리드는 상기 스테이지에 장착되는 대상물체와 미리 정해진 각도를 형성하도록 배치되는 저손상 플라즈마 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.