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엠램 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015144748
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 MRAM 식각 방법이 개시되며, 상기 MRAM 식각 방법은 상기 MRAM 식각시 휘발성 식각 부산물이 생성되도록 식각 가스의 조합을 선택하고, 상기 MRAM의 기판 가열을 통한 가열 식각 공정; 및 상기 MRAM에 펄스 바이어스를 인가한 식각 공정을 포함한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01)
출원번호/일자 1020120020971 (2012.02.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0099450 (2013.09.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울 송파구
2 강세구 대한민국 경기 수원시 장안구
3 전민환 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0168091-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
MRAM 식각 방법에 있어서,상기 MRAM식각시 휘발성 식각 부산물이 생성되도록 식각 가스의 조합을 선택하고,상기 MRAM의 기판 가열을 통한 가열 식각 공정; 및싱기 MRAM에 펄스 바이어스를 인가한 식각 공정을 포함하는 MRAM 식각 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 식각 가스는 CO/NH3, CO/NO, CO2/H2, CH4/Ar, CxHy/H2/O2, 및 CH3OH 중 하나인 MRAM 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교 산학 협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체) 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM