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비스페놀계 에폭시 수지 60 내지 90 중량%;
아민계 경화제 1 내지 30 중량%;
이미다졸계 경화촉매 0
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2 |
2
삭제
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3 |
3
제1항에 있어서,
상기 카본/에폭시 수지 조성물은 상기 아민계 경화제 및 상기 이미다졸계 경화촉매를 10:1 내지 5:1의 중량비로 포함하는 것인 카본/에폭시 수지 조성물
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4 |
4
제1항에 있어서,
상기 비스페놀계 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 카본/에폭시 수지 조성물
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5 |
5
제4항에 있어서,
상기 비스페놀 A형 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 카본/에폭시 수지 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 수소, 알킬기 또는 OH이다
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6 |
6
제1항에 있어서,
상기 아민계 경화제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 카본/에폭시 수지 조성물:
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R3 내지 R6는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것이다
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7 |
7
제1항에 있어서,
상기 아민계 경화제는 디에틸렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라아민, 디에틸아미노 프로필아민, 멘탄 디아민, N-아미노에틸 피페라진, 메타-크실렌 디아민, 이소포론 디아민, 디시안디아미드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 카본/에폭시 수지 조성물
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8 |
8
제1항에 있어서,
상기 이미다졸계 경화촉매는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬 이미다졸, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴 이미다졸, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬 이미다졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 카본/에폭시 수지 조성물
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9
제8항에 있어서,
상기 이미다졸계 경화촉매는 1-메틸 이미다졸, 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸 이미다졸, 2-이소프로필 이미다졸
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10 |
10
제1항에 있어서,
상기 카본/에폭시 수지 조성물은 상기 카본블랙 100 중량부에 대하여, 분산제(dispersant) 10 내지 100 중량부를 더 포함하는 것인 카본/에폭시 수지 조성물
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11
제1항 및 제3항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 카본/에폭시 수지 조성물을 이용하여 제조되는 카본-에폭시 유전막
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12
제11항에 따른 카본-에폭시 유전막을 포함하는 반도체 소자
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13
제12항에 있어서,
상기 반도체 소자는 내장형 캐패시터인 반도체 소자
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