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반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체 나노 막대를 포함하는 태양 전지~

  • 기술번호 : KST2014033172
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체 나노 막대를 포함하는 태양 전지 및 반도체 나노막대를 포함하는 전계 발광 소자를 제공한다. 상기 나노 막대 형성 방법은 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 섬 모양의 씨드를 형성하는 단계, 및 상기 씨드 상에 나노 막대를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 씨드는 ZnO계 금속산화물 씨드이고, 상기 나노 막대는 ZnO계 금속산화물 나노 막대일 수 있다. 상기 씨드 및 상기 나노 막대는 스퍼터링법을 사용하여 형성할 수 있다. 이와 같이 ,씨드 상에 나노 막대를 형성함으로써 금속 촉매제를 함유하지 않으면서도 결정성이 우수한 나노 막대를 형성할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 씨드 및 상기 나노 막대를 반도체 제조방법에서 많이 사용되는 스퍼터링법을 사용하여 형성함으로써 제조단가를 낮출 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020080081669 (2008.08.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1105103-0000 (2012.01.04)
공개번호/일자 10-2010-0023085 (2010.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20120116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.21)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김영이 대한민국 부산광역시 사상구
3 김동찬 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0594420-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020581-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0331132-77
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0633830-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0633816-46
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0116045-05
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0323543-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0405221-99
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0405040-21
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0782792-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
15 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0038426-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 금속 불순물을 함유하는 ZnO 씨드를 섬 모양으로 형성하는 단계; 및 상기 ZnO 씨드 상에 ZnO 나노 막대를 형성하는 단계를 포함하는 나노 막대 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 씨드는 (0002)ZnO 면이 상기 기판 표면에 대해 6도 이하의 각을 갖는 나노 막대 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노 막대는 c-축 우선 배향된 우르짜이트 구조를 갖는 나노 막대 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노 막대는 금속 불순물을 함유하는 나노 막대 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 나노 막대에 함유된 금속 불순물은 Ga, Al, In, P, 또는 Mg인 나노 막대 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 씨드 사이에 격자부정합이 있는 나노 막대 형성 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 씨드 및 상기 나노 막대는 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 나노 막대 형성 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 씨드 및 상기 나노 막대는 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 나노 막대 형성 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 씨드를 형성하는 온도에 비해 상기 나노 막대를 형성하는 온도가 더 높은 나노 막대 형성 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 씨드는 300 내지 600℃의 온도에서 형성하고, 상기 나노 막대는 500℃ 이상의 온도에서 형성하는 나노 막대 형성 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 씨드는 30㎚ 미만의 두께를 갖는 나노 막대 형성 방법
13 13
기판; 상기 기판 상에 형성된 금속 불순물을 함유하는 섬 모양의 ZnO 씨드; 및 상기 씨드 상에 형성된 ZnO 나노 막대를 포함하는 나노 막대 구조체
14 14
삭제
15 15
제13항에 있어서, 상기 씨드는 (0002)ZnO 면이 상기 기판 표면에 대해 6도 이하의 각을 갖는 나노 막대 구조체
16 16
제13항에 있어서, 상기 나노 막대는 c-축 우선 배향된 우르짜이트 구조를 갖는 나노 막대 구조체
17 17
제13항에 있어서, 상기 나노 막대는 금속 불순물을 함유하는 나노 막대 구조체
18 18
제13항에 있어서, 상기 기판과 상기 씨드 사이에 격자부정합이 있는 나노 막대 구조체
19 19
기판 상에 위치하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 금속 불순물을 함유하는 섬 모양의 ZnO 씨드; 상기 씨드 상에 형성된 억셉터인 ZnO 나노 막대; 상기 나노 막대 상에 형성된 도너층; 및 상기 도너층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 태양 전지
20 20
하부 기판 상에 위치하는 캐소드; 상기 캐소드 상에 형성된 금속 불순물을 함유하는 섬 모양의 ZnO 씨드; 상기 씨드 상에 형성된 ZnO 나노 막대; 상기 하부 기판과 대향하는 대향면을 갖는 상부 기판; 및 상기 상부 기판의 대향면 상에 차례로 애노드와 형광층을 포함하는 전계 발광 소자
21 21
제1항에 있어서, 상기 ZnO 씨드에 함유된 금속 불순물은 Ga, Al, In, P, 또는 Mg인 나노 막대 형성 방법
22 22
제13항에 있어서, 상기 ZnO 씨드에 함유된 금속 불순물은 Ga, Al, In, P, 또는 Mg인 나노 막대 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 일반연구자지원 나노구조를 이용한 color tunable 수. 발광소자 구현
2 교육과학기술부 성균관대학교 핵심연구지원사업 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구