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저온 액상 증착 기술을 이용한 실리콘산화물 절연막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015143015
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 액상 증착 기술을 이용한 실리콘산화물 절연막의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상의 소정영역에 회로영역을 형성하는 단계, 상기 회로영역을 갖는 상기 반도체 기판의 전면에 포토레지스트를 증착하고, 상기 포토레지스트 상에 노광 및 현상공정을 수행하여 상기 회로영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 노출된 회로영역 상에 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 제1 절연막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 및 상기 반도체 기판 상에 상기 회로영역과 전기적으로 연결된 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 저온 액상 증착 기술을 이용한 실리콘산화물 절연막의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 종래 반도체 제조에 이용되는 장치의 공정 한계를 극복하고, 전기적 및 열적 특성이 향상된 절연막을 제조할 수 있다. LPD, 실리콘산화물, 절연막, H2SiF6, H3BO3
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/31 (2011.01) H01L 21/208 (2011.01)
CPC H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020080040404 (2008.04.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0985213-0000 (2010.09.28)
공개번호/일자 10-2009-0114655 (2009.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20101005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김경섭 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0312336-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065414-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0041233-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0198559-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0198544-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0272700-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상의 소정영역에 회로영역을 형성하는 단계; 상기 회로영역을 갖는 상기 반도체 기판의 전면에 포토레지스트를 증착하고, 상기 포토레지스트 상에 노광 및 현상공정을 수행하여 상기 회로영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 회로영역 상에 상온 내지 50℃에서 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 실리콘 옥사이드 물질의 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 상기 회로영역과 전기적으로 연결된 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기 금속 배선을 갖는 상기 반도체 기판의 전면에 상온 내지 50℃에서 저온 LPD로 실리콘 옥사이드 물질의 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막은 10nm/hr 내지 13nm/hr의 속도로 형성되고, 10pF 내지 90pF의 정전용량을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘산화물 절연막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제1 절연막은 자기 정렬되어 형성되고, 상기 제2 절연막은 컨포멀하게 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘산화물 절연막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 절연막 또는 상기 제2 절연막은 상기 반도체 기판이 침적된 과포화 H2SiF6 용액에 H3BO3을 주입하여 증착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물 절연막의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제1 절연막 또는 상기 제2 절연막은 H2SiF6의 과포화농도, H3BO3의 농도 및 공정 온도에 따라 증착 속도가 달라지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물 절연막의 제조방법
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삭제
8 8
삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막의 각각은 반도체 소자 또는 나노분자 소자에 적용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물 절연막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.