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촉각 센서 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145246
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요약 본 발명은 촉각 센서 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 압저항을 형성한 SOI 기판과 공동을 형성한 유리 기판을 마주 보게 접합하고, 공동이 형성된 유리 기판의 반대면와 연성회로 기판을 범프 본딩으로 접합하는 촉각 센서 및 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 촉각 센서는 외부 접촉력에 의하여 변형되는 다이아프램과 상기 다이아프램으로부터 발생한 응력을 감지하기 위한 압저항이 형성된 SOI기판부; 상기 SOI 기판부에 형성된 상기 다이아프램이 변형될 수 있도록 형성된 공동과 상기 압저항에서 발생한 전기신호를 하기 유연회로 기판부로 출력하기 위한 도전성 전기 배선금속이 형성된 유리 기판부; 및 상기 유리 기판부에 형성된 상기 도전성 전기 배선금속과 연결되어 상기 전기신호를 외부로 출력하기 위한 유연회로 기판부로 구성됨에 기술적 특징이 있다.따라서, 본 발명의 촉각 센서 및 제조 방법은 하부 유리 기판과 상부 SOI 웨이퍼를 각각 독립적으로 제작하고 접합 특성이 우수한 유리-실리콘 접합 기술로 정밀하고 미세한 공동을 제작하여 다이아프램의 변형을 예방하고, 접촉력 전달기둥이 다이아프램 상부에 위치하여 X, Y, Z 축의 접촉력을 감지할 수 있는 3축 촉각 감지가 가능하며, 범프 본딩이 가능하여 와이어 본딩 공정이 필요 없으며, 촉각 감지소자부 상면에 전기배선 금속이 없으므로 촉각 감지소자들을 분리할 수 있어 연성회로 기판의 사용으로 곡면에서도 촉각을 감지할 수 있는 효과가 있다.촉각 센서, 압저항
Int. CL G01L 1/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050022853 (2005.03.18)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0855603-0000 (2008.08.26)
공개번호/일자 10-2006-0101029 (2006.09.22) 문서열기
공고번호/일자 (20080901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조남규 대한민국 경기도 용인시
2 성우경 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이대성 대한민국 경기도 평택시
4 김건년 대한민국 경기도 오산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘아이엠 경기도 시흥시 마유로***번길
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0144508-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0252434-46
4 의견서
Written Opinion
2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0465167-43
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0465165-52
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0777311-53
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0126547-17
8 의견서
Written Opinion
2007.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0126533-89
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352589-61
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0620142-95
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0620121-36
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0702737-98
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0073980-87
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0073993-70
15 등록결정서
Decision to grant
2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0294374-47
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
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과대 접촉력 파손방지 기둥을 포함하면서, 외부 접촉력에 의하여 변형되는 다이아프램;상기 다이아프램으로부터 발생한 응력을 감지하기 위한 압저항이 형성된 SOI기판부;상기 SOI 기판부에 형성된 상기 다이아프램이 변형될 수 있도록 형성된 공동과 상기 압저항에서 발생한 전기신호를 하기 유연회로 기판부로 출력하기 위한 도전성 전기 배선금속이 형성된 유리 기판부; 및상기 유리 기판부에 형성된 상기 도전성 전기 배선금속과 연결되어 상기 전기신호를 외부로 출력하기 위한 유연회로 기판부를 포함하는 촉각 센서
10 10
제9항에 있어서, Si기판/절연막/Si기판으로 이루어진 상기 SOI기판부는외부 접촉력을 감지하기 위한 접촉력 전달매체; 및상기 접촉력 전달매체내에 위치하여 상기 외부 접촉력을 전달받는 접촉력 전달기둥; 및상기 접촉력 전달매체와 상기 접촉력 전달기둥을 지지하는 다이아프램 을 포함하는 촉각 센서
11 11
제10항에 있어서,상기 접촉력 전달기둥은 절연막 상부에 형성된 상기 Si기판 상에 형성된 촉각 센서
12 12
제11항에 있어서, 상기 유리기판부와 상기 유연회로기판부는 도전성 범프 솔더에 의하여 전기적으로 연결된 촉각 센서
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SOI 기판부에 외부 접촉력에 의하여 응력을 발생하는 다이아프램과 상기 다이아프램내에 형성되어 상기 응력을 감지하기 위한 압저항을 형성하는 단계;상기 SOI 기판부를 지지하고 상기 압저항에서 발생한 전기신호를 하기 유연회로 기판부에 전달하기 위하여 유리 기판부의 양측면에 사진공정을 이용하여 패턴을 형성하는 단계;유리 기판부의 일측면에 사진공정을 DFR(Dry Film Resistor) 패턴을 형성하는 단계;상기 DFR(Dry Film Resistor) 패턴을 마스크로 사용하여 상기 유리 기판부를 식각하는 단계; 및상기 유리 기판부에 도전성 배선금속을 형성하는 단계;상기 압저항이 형성된 SOI 기판부의 면을 상기 유리 기판부와 본딩하는 단계; 및상기 전기신호를 외부로 출력하기 위하여 상기 유리 기판부와 상기 유연회로 기판부를 본딩하는 단계를 포함하는 촉각 센서 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 압저항이 형성된 SOI 기판부의 면을 상기 유리 기판부와 본딩하는 단계는,상기 압저항이 형성된 SOI 기판부의 타측면을 사진식각공정을 이용하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴 전면에 접촉력 전달매체를 도포하는 단계; 및다이싱 공정을 하는 단계를 더 포함하는 촉각 센서의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 압저항을 형성하는 단계는,SOI 기판 전면에 제1 산화막과 질화막을 증착하고 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 제1산화막과 질화막을 식각하는 단계;상기 SOI 기판에 이온 주입 공정과 열처리 공정을 하는 단계;상기 이온 주입 공정과 열처리 공정이 완료된 상기 SOI 기판 전면에 금속막을 증착하고 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 금속막을 식각하고 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 금속막을 포함하는 SOI 기판 전면에 제2 산화막을 증착하고 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 제2 산화막을 식각하는 단계를 포함하는 촉각 센서 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 SOI 기판부와 상기 유리 기판부의 본딩은 접착제 또는 양극접합을 이용하는 촉각 센서 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 유리 기판부와 유연회로 기판부의 본딩은 범프 솔더를 이용하는 촉각 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.