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반도체 배선용 금속막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015158838
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 배선용 금속막 형성 방법 관한 것으로써, 보다 상세하게는, 본 발명에 따른 반도체 배선용 금속막 형성 방법은 확산 방지막 위에 시드층(Seed layer)이 형성된 반도체 기판을 마련하는 단계; 상기 반도체 기판을 첨가제를 포함하는 구리 전해 도금액에 넣고 환원 전위를 인가하여 반도체 기판의 표면 전체에 구리 박막을 형성하는 1차 전해 도금 단계; 첨가제를 포함하지 않는 상기 구리 전해 도금액에 넣고 환원 전위를 인가하여 구리 전해 도금을 실시함으로써, 불순물을 제거하고 구리 박막을 형성하는 2차 전해 도금 단계; 및 상기 반도체 기판을 열처리 함으로써 비저항을 낮추는 열처리 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법을 제공함으로써 금속 박막의 전해 도금시 사용되는 첨가제로 인한 금속 박막의 비저항 증가를 최소화 시키는 방법에 관한 것이다. 전해 도금, 구리 박막, 금속 박막, 열처리 공정, 비저항
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76873(2013.01) H01L 21/76873(2013.01)
출원번호/일자 1020030015227 (2003.03.11)
출원인 주식회사 엘지화학, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0491310-0000 (2005.05.16)
공개번호/일자 10-2004-0080465 (2004.09.20) 문서열기
공고번호/일자 (20050524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.03.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울특별시서초구
2 강무성 대한민국 서울특별시구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0085253-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2003-0017693-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.05.21 수리 (Accepted) 4-1-2003-0029386-64
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0002457-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0031363-96
7 의견서
Written Opinion
2005.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0154970-49
8 등록결정서
Decision to grant
2005.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0170391-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
확산 방지막 위에 시드층(Seed layer)이 형성된 반도체 기판을 마련하는 단계; 상기 반도체 기판을 첨가제를 포함하는 구리 전해 도금액에 넣고 환원 전위를 인가하여 반도체 기판의 표면 전체에 구리 박막을 형성하는 1차 전해 도금 단계; 첨가제를 포함하지 않는 상기 구리 전해 도금액에 넣고 환원 전위를 인가하여 구리 전해 도금을 실시함으로써, 불순물을 제거하고 구리 박막을 형성하는 2차 전해 도금 단계; 및 상기 반도체 기판을 열처리 함으로써 비저항을 낮추는 열처리 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 열처리 단계가 기판을 질소 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 열처리시 열처리 온도가 100℃ ~ 700℃인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 열처리시 열처리 시간이 30초 ~ 4000초인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 구리 전해 도금액은 H2SO4가 0
6 6
제 1항에 있어서, 상기 환원 전위는 표준 감홍 전극을 기준으로 -0
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제 1항에 있어서, 첨가제는 티오우레아(Thiourea)를 비롯한, 전해 도금 내에 해리되어 증착시 박막 내에 금속과 함께 증착되는 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 금속막 형성 방법
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제 1항 내지 7항의 방법에 의해 제조되는 반도체 배선용 금속막
9 8
제 1항 내지 7항의 방법에 의해 제조되는 반도체 배선용 금속막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.