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반도체 장치 및 그 동작 방법

  • 기술번호 : KST2015160915
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 장치 및 그 동작 방법이 제공된다. 이 장치는 반도체기판으로부터 연장되어 2차원적으로 배열되는 활성 기둥들, 일 방향을 따라 활성 기둥들을 연결하는 상부 배선들, 상부 배선을 가로지르면서 활성 기둥들 사이에 배치되는 하부 배선들, 상부 배선을 가로지르면서 활성 기둥들 사이에 배치되는 워드 라인들, 및 워드라인들과 활성 기둥들 사이에 배치되는 정보저장막 패턴들을 포함한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080065120 (2008.07.04)
출원인 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0004772 (2010.01.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권욱현 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 박병국 대한민국 서울 서초구
3 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김윤 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0486033-40
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0085846-96
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0516639-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0483135-46
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0483141-10
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.27 수리 (Accepted) 9-1-2014-0006861-53
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0079104-02
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0259022-23
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체기판으로부터 연장되어 2차원적으로 배열되는 활성 기둥들; 일 방향을 따라 상기 활성 기둥들을 연결하는 상부 배선들; 상기 상부 배선을 가로지르면서 상기 활성 기둥들 사이에 배치되는 하부 배선들; 상기 상부 배선을 가로지르면서 상기 활성 기둥들 사이에 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드라인들과 상기 활성 기둥들 사이에 배치되는 정보저장막 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 하부 배선은 상기 반도체기판 내에 형성되는 불순물 영역들인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 하부 배선은 복수개의 상부 배선들을 가로지르는 라인 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 워드라인들은 인접하는 활성 기둥들 사이에 두개씩 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 워드라인의 하부면과 상부면 사이의 높이 차이는 적어도 100nm인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 상부 배선의 장축 방향에서, 상기 활성 기둥의 폭은 적어도 30nm인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
7 7
제 1 항에 있어서, 하나의 활성 기둥의 양측에는 서로 다른 두개의 정보저장막 패턴들이 배치되고, 각각의 정보저장막 패턴은 복수개의 정보 저장 영역들을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 정보저장막 패턴은 상기 활성 기둥에 인접하는 터널 절연막; 상기 워드라인에 인접하는 블록킹 절연막; 및 상기 터널 절연막과 상기 블록킹 절연막 사이에 개재되는 전하 저장막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
9 9
제 1 항의 반도체 장치의 동작 방법에 있어서, 하나의 상부 배선과 하나의 하부 배선 사이의 정보 저장막 패턴은, 적어도, 상기 하부 배선 및 상부 배선에 각각 인접하되 서로 이격된 제 1 정보 저장 영역 및 제 2 정보 저장 영역을 포함하되, 상기 동작 방법은 상기 제 1 및 제 2 정보 저장 영역들 중의 하나에 선택적으로 전하를 주입하는 프로그램 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 프로그램 단계는 상기 활성 기둥의 측벽에 형성되는 채널을, 상기 상부 배선 및 상기 하부 배선에 인접하는 영역들 중의 하나의 근방에서, 선택적으로 핀치-오프시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작 방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 프로그램 단계는 상기 상부 배선 및 상기 하부 배선을 각각 소오스 및 드레인 전극으로 사용하여 상기 제 1 정보 저장 영역에 전하를 주입하는 단계; 및 상기 상부 배선 및 상기 하부 배선을 각각 드레인 및 소오스 전극으로 사용하여 상기 제 2 정보 저장 영역에 전하를 주입하는 단계 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작 방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 프로그램 단계는 선택되지 않은 워드라인들에 문턱 전압보다 낮은 전압을 인가함으로써, 이들에 인접하는 활성 기둥들 내에 채널이 형성되는 것을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작 방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 프로그램 단계는 선택되지 않은 상부 배선들에 선택된 하부 배선에 인가되는 전압을 인가함으로써, 선택되지 않은 배선과 선택된 하부 배선 사이에 전위차가 생성되는 것을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작 방법
14 14
제 9 항에 있어서, 상기 동작 방법은 상기 정보저장막 패턴들로부터 전하들을 배출시키는 소거 단계를 포함하되, 상기 소거 단계는 상기 워드라인과 이에 인접하는 활성 기둥 사이의 전위차를 이용하여, 상기 정보저장막 패턴으로부터 상기 활성 기둥으로 전하를 배출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07928501 US 미국 FAMILY
2 US08354708 US 미국 FAMILY
3 US20100001339 US 미국 FAMILY
4 US20110194356 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010001339 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2011194356 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7928501 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8354708 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.