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유전체막의 형성 방법, 반도체 소자의 제조방법 및 그에 따라 제조된 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2020004125
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있는 새로운 유전체막의 형성 방법에 관한 것으로, 알루미늄 소스 또는 산소 소스 중에 하나인 제1 원료물질을 공급하는 제1 원료물질 공급 단계; 제1 원료물질을 원자층으로 위치시키는 제1 퍼지 단계; 알루미늄 소스 또는 산소 소스 중에서 제1 원료물질과는 다른 하나인 제2 원료물질을 공급하는 제2 원료물질 공급 단계; 제2 원료물질을 원자층으로 위치시키는 제2 퍼지 단계; 질소 플라즈마 처리 단계; 및 질소가 제2 원료물질의 원자층에 형성된 공극을 채우는 제3 퍼지 단계를 포함하는 증착 사이클을 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 질소 플라즈마에 의한 품질 향상과 함께 원자층증착으로 형성되는 알루미늄옥사이드 유전체막에 생성되는 결함을 질소가 채움으로써, 유전체막의 품질이 크게 향상되는 새로운 유전체막의 형성 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 유전체막의 품질이 크게 향상됨으로써 절연막으로서 사용하는 경우에 반도체 소자의 성능이 크게 향상되며, 특히 고효율의 차세대 전력반도체 소자에 적합하도록 누설전류가 크게 감소하고 항복전압이 높아진 반도체 소자를 제공할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01)
출원번호/일자 1020190117464 (2019.09.24)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2102609-0000 (2020.04.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 서울특별시 강남구
2 강명진 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0975871-01
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0987782-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2019-0047817-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0864707-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0096988-28
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0096976-81
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0256742-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질소를 포함하지 않는 알루미늄 소스 또는 산소 소스 중에 하나인 제1 원료물질을 공급하는 제1 원료물질 공급 단계;제1 원료물질을 원자층으로 위치시키는 제1 퍼지 단계;질소를 포함하지 않는 알루미늄 소스 또는 산소 소스 중에서 제1 원료물질과는 다른 하나인 제2 원료물질을 공급하는 제2 원료물질 공급 단계;제2 원료물질을 원자층으로 위치시키는 제2 퍼지 단계;파워가 50W 이하인 질소 플라즈마를 사용하여 5초 이상의 시간동안 표면을 처리하는 플라즈마 처리 단계; 및질소가 원자층에 형성된 공극을 채워 산소 공공을 감소시키는 제3 퍼지 단계를 포함하는 증착 사이클을 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 유전체막 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
게이트 전극에 접촉하도록 형성된 게이트 절연막을 포함하는 반도체 소자를 제조하는 방법으로서,상기 게이트 절연막의 형성 공정이,질소를 포함하지 않는 알루미늄 소스 또는 산소 소스 중에 하나인 제1 원료물질을 공급하는 제1 원료물질 공급 단계;제1 원료물질을 원자층으로 위치시키는 제1 퍼지 단계;질소를 포함하지 않는 알루미늄 소스 또는 산소 소스 중에서 제1 원료물질과는 다른 하나인 제2 원료물질을 공급하는 제2 원료물질 공급 단계;제2 원료물질을 원자층으로 위치시키는 제2 퍼지 단계;파워가 50W 이하인 질소 플라즈마를 사용하여 5초 이상의 시간동안 표면을 처리하는 플라즈마 처리 단계; 및질소가 원자층에 형성된 공극을 채워 산소 공공을 감소시키는 제3 퍼지 단계를 포함하는 증착 사이클을 1회 이상 반복하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 반도체 소자가 갈륨나이트라이드(GaN) 기반의 반도체 물질을 사용하는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
게이트 전극 및 이에 접촉하여 위치하는 게이트 절연막을 포함하는 반도체 소자로서,상기 게이트 절연막이 청구항 4의 방법으로 형성되어, 알루미늄옥사이드의 결함에 질소가 채워진 것을 특징으로 하는 반도체 소자
9 9
청구항 8에 있어서,상기 반도체 소자는 갈륨나이트라이드(GaN) 기반의 반도체 물질을 사용하는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
10 10
청구항 9에 있어서,상기 반도체 소자가 상시 불통형 MOS-HFET인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 알에프에이치아이씨 (주) 우수기술연구센터(ATC)사업 전력밀도 20W/mm GaN-on-Diamond HEMT 소자 공정기술 개발과 5G 이동통신용 C-band 50W 및 Ku-band 15W 전력증폭기 모듈 개발