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트렌치를 형성하기 위하여 절연층을 선택적으로 식각하는 단계; 및상기 트렌치에 구리층을 채우는 단계를 포함하며,상기 절연층을 선택적으로 식각하는 단계에서 식각되지 않은 일부 절연층이 상기 트렌치 상에 남아 있는 상태에서 상기 트렌치에 상기 구리층을 채우며, 상기 식각되지 않은 일부 절연층은 상기 구리층의 결정립이 소정의 방향으로 성장하는 것을 억제하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;하부 트렌치를 형성하기 위하여 상기 제1 절연층을 선택적으로 식각하는 단계;상기 하부 트렌치에 제1 구리층을 채우는 단계;상기 제1 절연층 및 상기 제1 구리층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계;비아홀 및 상부 트렌치를 형성하기 위하여 상기 제2 절연층을 선택적으로 식각하는 단계; 및상기 비아홀 및 상기 상부 트렌치 상에 제2 구리층을 채우는 단계;를 포함하며,상기 제1 절연층을 선택적으로 식각하는 단계에서 식각되지 않은 일부 절연층이 상기 하부 트렌치 상에 남아 있는 상태에서 상기 하부 트렌치에 상기 제1 구리층을 채우며, 상기 식각되지 않은 일부 절연층은 상기 제1 구리층의 결정립이 소정의 방향으로 성장하는 것을 억제하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 구리층을 채우는 단계 이전에 장벽 금속(barrier metal)층과 시드(seed)층을 차례로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 장벽 금속층은 Ta, TaN, TaAlN, TaSiN, TaSi2, Ti, TiN, WN, TiSiN 중의 어느 하나로 구성되는 단일층 또는 이들의 조합으로 구성되는 복수층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 장벽 금속층의 두께는 50 내지 1,000Å 범위인 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 시드층은 Cu, Pt, Au, Ag, Ni을 포함하는 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 시드층의 두께는 100 내지 5,000Å 범위인 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 및 제2 구리층은 전기도금법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 및 제2 구리층을 채우는 단계 이후에 상기 제1 및 제2 구리층의 일부를 CMP(Chemical Mechanical Polishing)로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 및 제2 구리층의 일부를 CMP(Chemical Mechanical Polishing)로 제거하는 단계 이전에 상기 제1 및 제2 구리층을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 및 제2 구리층은 온도 100 내지 300℃, 시간 1 내지 3,600분 범위 내에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 식각되지 않은 일부 절연층은 상기 비아홀 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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제12항에 있어서,상기 식각되지 않은 일부 절연층은 적어도 한 개 이상의 절연체 구조물을 포함하며, 상기 구조물은 상기 비아홀 주위의 일부를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 구리 다마신 형성 방법
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