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온도 보상 기능을 갖춘 CMOS 발진기 및 그 보상 방법

  • 기술번호 : KST2015159559
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 기술로 제작된 온도 보상된 클럭을 발생시키는 온도 보상 기능을 갖춘 CMOS 발진기 회로 및 그 보상 방법인 개시된다. 구체적으로, 발진기 회로는 기준 전압 발생기에서 생성된 전류를 저항으로 배분하여 기준 전압을 생성하는 기준 전압 생성부; 기준 전압 생성부에 연결되는 발진부; 및 기준 전류 발생기에서 발진부에 사용될 전류원에 기준 전류를 공급하는 기준 전류 생성부를 포함하는 것으로서, 기준 전압 발생기 및 상기 전류 발생기는 온도 보상 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 회로 구성을 갖는다. 또한, 발진기 회로의 보상 방법에 있어서, 기준 전압 발생기에서 기준 전압을 생성하고, 기준 전류 발생기에서 기준 전류를 생성하는 단계, 커패시터부에 기준 전류를 충전시키는 단계; 및 기준 입력단이 기준 전압 생성부의 출력단에 연결되고, 비교 입력단이 커패시터에 각각 연결되는 비교기에서 발진 신호를 출력하는 단계를 포함하는 구성을 갖는다. 이러한 구성에 따른 발진기에서 내부의 기준 전압 발생기 및 기준 전류 발생기가 각각 온도 보상 기능을 갖추고 있으며, 커패시터는 일반적으로 온도에 거의 둔감하므로, 온도 변화에 크게 영향을 받지 않는 발진기를 구현할 수 있게 된다.발진기(oscillator), CMOS, 온도 보상(temperature compensation)
Int. CL H03K 3/354 (2006.01) H03K 3/011 (2006.01)
CPC H03K 3/011(2013.01) H03K 3/011(2013.01) H03K 3/011(2013.01) H03K 3/011(2013.01) H03K 3/011(2013.01)
출원번호/일자 1020070013966 (2007.02.09)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0886993-0000 (2009.02.25)
공개번호/일자 10-2008-0061217 (2008.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060135563   |   2006.12.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 대한민국 서울 강남구
2 고형호 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)마이크로메카 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0123858-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0200982-14
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0023749-94
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0237598-97
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0469593-42
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0549918-42
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0549922-25
10 등록결정서
Decision to grant
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0603954-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기준 전압 발생기에서 생성된 전류를 저항으로 배분하여 서로 상이한 제1 기준 전압 및 제2 기준 전압을 생성하는 기준 전압 생성부;상기 기준 전압 생성부에 연결되는 발진부; 및기준 전류 발생기에서 상기 발진부에 사용될 전류원에 기준 전류를 공급하는 기준 전류 생성부를 포함하되,상기 발진부는,기준 입력단에 상기 제1 기준 전압이 입력되어, 기준 입력단과 비교 입력단의 전압 차이에 의하여 발신 신호를 출력하는 제1 비교기;상기 제1 비교기의 출력단에 연결되어 상기 제1 비교기의 출력에 따라 온/오프되고, 상기 기준 전류를 입력받는 제1 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터와 상기 제1 비교기의 비교 입력단 사이에 연결되는 제1 전류원;기준 입력단에 상기 제2 기준 전압이 입력되고, 비교 입력단이 상기 제1 비교기의 비교 입력단에 연결되어, 기준 입력단과 비교 입력단의 전압 차이에 의하여 발신 신호를 출력하는 제2 비교기;상기 제2 비교기의 출력단에 연결되어 상기 제2 비교기의 출력에 따라 온/오프되는 제2 트랜지스터;상기 제2 트랜지스터와 상기 제2 비교기의 비교 입력단 사이에 연결되는 제2 전류원; 및상기 제1 전류원 및 상기 제2 전류원에 연결되는 커패시터를 포함하고, 상기 발진부의 발진 주파수는 상기 제1 기준전압, 상기 제2 기준전압, 상기 기준 전류 및 상기 커패시터의 용량에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 CMOS 발진기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 발진부의 발진 주파수를 f, 상기 커패시터의 용량을 C, 상기 기준 전류를 I, 상기 제1 기준 전압을 Vref1, 상기 제2 기준 전압을 Vref2 라 할 경우, 상기 발진부의 발진 주파수는 하기 수학식에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 CMOS 발진기
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삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 커패시터의 충전/방전에 의해 선형적인 전압의 증가/감소 파형을 구현하는 것을 특징으로 하는 CMOS 발진기
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제 1 항에 있어서,상기 제1 비교기 및 상기 제2 비교기는 연산 증폭기인 것을 특징으로 하는 CMOS 발진기
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.