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나노 스케일 레벨링 트랜스듀서

  • 기술번호 : KST2015160009
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시에는 기판, 기판 상에 배열된 나노 입자들의 어레이, 및 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 이와 대향하는 제2 단부 중 적어도 하나와 전기적 연속성을 형성하도록 상기 기판 상에 위치하는 롤러(roller)를 포함하는 트랜스듀서가 제공된다.
Int. CL B82Y 35/00 (2011.01) G01B 21/00 (2011.01)
CPC G01B 21/02(2013.01) G01B 21/02(2013.01) G01B 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080084923 (2008.08.29)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1003860-0000 (2010.12.17)
공개번호/일자 10-2010-0026078 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.29)
심사청구항수 31

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심영택 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0616504-15
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0109203-12
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0659914-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.12.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803418-52
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803406-15
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0004162-62
8 등록결정서
Decision to grant
2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0479407-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 배열된 나노 입자들의 어레이; 및 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 이와 대향하는 제2 단부 중 적어도 하나와 전기적 연속성을 형성하도록 상기 기판 상에 위치하는 롤러(roller); 를 포함하는 트랜스듀서
2 2
제1항에 있어서, 상기 롤러는 상기 기판의 틸팅(tilting)에 따라 상기 기판의 고도가 높은 일면으로부터 상기 기판의 고도가 낮은 다른 일면으로, 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 제2 단부 중 적어도 하나와 전기적 연속성을 형성하면서, 회전 이동하는 트랜스듀서
3 3
제1항에 있어서, 상기 롤러는 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 제2 단부 중 적어도 하나와 접촉하는 제1 단부 및 제2 단부와, 상기 제1 단부와 상기 제2 단부를 연결하는 결합부를 포함하는 트랜스듀서
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 제2 단부 중 적어도 하나와는 일정한 거리를 두고 배치되며, 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부 중 적어도 하나와 접촉하도록 상기 기판 상에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하는 트랜스듀서
5 5
제4항에 있어서, 상기 일정한 거리는 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 상기 제2 단부 중 적어도 하나와 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 각각 전기적으로 분리되게 하는 거리인 트랜스듀서
6 6
제3항에 있어서, 상기 롤러의 상기 제1 단부 및 상기 제2 단부는 전도성 재료를 포함하고, 상기 롤러의 결합부는 절연성 재료를 포함하는 트랜스듀서
7 7
제4항에 있어서, 상기 롤러는 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이의 거리보다 긴 길이를 가지는 트랜스듀서
8 8
제4항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결되는 전원을 더 포함하는 트랜스듀서
9 9
제1항에 있어서, 상기 기판은 절연성 또는 유전성 재료를 포함하는 트랜스듀서
10 10
제1항에 있어서, 상기 나노 입자들의 어레이는 복수 개의 행과 복수 개의 열로 배열되는 트랜스듀서
11 11
제10항에 있어서, 상기 복수 개의 행 각각에는 하나 이상의 상기 나노 입자들이 배열되며, 동일한 행 내에 배열된 상기 하나 이상의 상기 나노 입자들 간에는 전기적 연속성을 형성하고, 인접한 행 내에 배열한 나노 입자들간에는 전기적으로 절연되는 트랜스듀서
12 12
제10항에 있어서, 상기 복수 개의 행 각각에는 하나 이상의 상기 나노 입자들이 배열되며, 동일한 행 내에 배열된 상기 하나 이상의 상기 나노 입자들은 동일한 크기를 가지고, 상이한 행 내에 배열한 나노 입자들은 서로 상이한 크기를 갖는 트랜스듀서
13 13
제10항에 있어서, 상기 복수 개의 행 각각에는 하나 이상의 상기 나노 입자들이 배열되며, 동일한 행 내에 배열한 상기 하나 이상의 상기 나노 입자들은 동일한 재료로 구성되고, 상이한 행 내에 배열한 상기 나노 입자들은 서로 상이한 재료로 구성되는 트랜스듀서
14 14
제4항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 전도성 재료를 포함하는 트랜스듀서
15 15
제14항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부와 전기적으로 분리되고, 상기 제2 전극은 상기 나노 입자들의 어레이의 제2 단부와 전기적으로 접속하도록 상기 기판 상에 배치되는 트랜스듀서
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 나노 입자들의 어레이의 제2 단부와 비대칭적으로 접속하는 트랜스듀서
17 17
제3항에 있어서, 상기 롤러의 제1 단부, 제2 단부 및 결합부는 모두 원통형인 트랜스듀서
18 18
제17항에 있어서, 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부는 동일한 직경 및 폭을 지니며, 상기 결합부의 직경은 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부의 직경과 동일하거나 상이하도록 구성되는 트랜스듀서
19 19
제18항에 있어서, 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부는 각각 상기 롤러의 회전축 방향으로 스트립(strip) 형태를 포함하는 트랜스듀서
20 20
제19항에 있어서, 상기 스트립 형태는 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부 각각에 상기 롤러의 회전축 방향으로 일정한 두께를 지니며 형성된 적어도 하나의 홈을 포함하는 트랜스듀서
21 21
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 스트립 형태는 전도성 재료로 구성되는 트랜스듀서
22 22
제3항에 있어서, 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부는 원뿔대 형상을 지니는 트랜스듀서
23 23
제22항에 있어서, 상기 롤러의 제1 단부는 상기 결합부와 가까워질수록 직경이 작아지며, 상기 롤러의 제2 단부는 상기 결합부와 멀어질수록 직경이 작아지는 형태를 지니는 트랜스듀서
24 24
제8항에 있어서, 상기 전원은 전류전원 또는 전압전원인 트랜스듀서
25 25
제24항에 있어서, 상기 전원으로 인가되는 전류 또는 전압에 대응하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극, 상기 롤러의 제1 단부 및 제2 단부, 및 상기 나노 입자들의 어레이를 통해 전기적 폐회로를 형성하는 트랜스듀서
26 26
제25항에 있어서, 상기 전기적 폐회로를 통해 흐르는 전류 또는 상기 전기적 폐회로의 양단에 걸리는 전압을 검출하는 검출기를 더 포함하는 트랜스듀서
27 27
기판의 틸팅(tilting)각을 측정하는 방법으로서, 기판 상에 나노 입자들의 어레이를 배열하는 단계; 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 이와 대향하는 제2 단부 중 적어도 하나와 전기적 연속성을 형성할 수 있도록 구성된 롤러(roller)를 상기 기판 상에 배치하는 단계; 상기 기판 상으로 인가된 전류 또는 전압에 대응하여, 상기 나노 입자들의 어레이와 상기 롤러 사이에 전기적 폐회로를 형성하는 단계; 및 상기 전기적 폐회로로부터 측정되는 전류 또는 전압의 변화를 측정하는 단계 를 포함하는 기판의 틸팅각 측정 방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 기판 상에 나노 입자들의 어레이를 배열하는 단계는, 상기 나노 입자들의 어레이가 복수 개의 행과 복수 개의 열로 구성되며, 상기 복수 개의 행 각각에는 하나 이상의 상기 나노 입자들이 배열되며, 동일한 행 내에 배열된 상기 하나 이상의 상기 나노 입자들 간에는 전기적 연속성을 형성하고, 인접한 행 내에 배열된 나노 입자들간에는 전기적 절연성을 형성하도록 하는 상기 나노 입자들의 어레이를 복수 개의 행과 복수 개의 열로 구성하는 단계를 더 포함하는 기판의 틸팅각 측정 방법
29 29
제27항에 있어서, 상기 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 배치하는 단계로서, 상기 제1 전극 및 제2 전극을 상기 나노 입자들의 어레이의 제1 단부 및 이와 대향하는 제2 단부 중 적어도 하나와는 소정의 거리를 두고 상기 기판 상에 배치하는 단계를 더 포함하는 기판의 틸팅각 측정 방법
30 30
제29항에 있어서, 상기 전기적 폐회로는 상기 인가된 전류 또는 전압에 대응하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극, 상기 롤러를 통해서 형성되는 기판의 틸팅각 측정 방법
31 31
제30항에 있어서, 상기 전기적 폐회로로부터 측정되는 전류의 변화 및 상기 나노 입자들의 어레이의 행간 거리를 이용하여, 상기 기판의 틸팅 각을 계산하는 단계를 더 포함하는 기판의 틸팅각 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.