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표면 플라즈몬 공명 장치를 이용한 구리 검출용 칩

  • 기술번호 : KST2015159491
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 실리카 재질의 고 투명 지지체 층 위에 금 박막을 코팅한 후, 알칸 화합물을 이용하여 자기조립 단분자층을 형성시킴으로써, 대상 중금속에 대하여 선택도가 높으며, 매우 낮은 농도에서의 검출이 가능하여 표면 플라즈몬 공명 장치에 활용할 수 있는 중금속 검출용 칩을 제공하는 것을 목적으로 한다.이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 중금속 검출용 칩은, 실리카 재질로 이루어진 투명한 지지체 층(1)과, 상기 투명한 지지체 층(1) 위의 한쪽 면에 크롬(Cr)을 코팅시킨 크롬 층(2)과, 상기 크롬 층(2) 위에 금(Au)을 코팅시킨 금 박막 층(3) 및 상기 금 박막 층(3) 위에 한쪽 끝에는 싸이올 기(SH)와 다른 한쪽 끝에는 대상 중금속과 선택적 결합을 위한 말단 기능기를 포함하는 알칸 화합물로 형성된 자기조립 단분자층(4)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 중금속, 검출용 칩, 표면 플라즈몬 공명, 자기조립 단분자층, 금 박막 층, 구리, 수은
Int. CL B82Y 35/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01) G01N 21/27 (2011.01)
CPC G01N 21/272(2013.01) G01N 21/272(2013.01) G01N 21/272(2013.01) G01N 21/272(2013.01)
출원번호/일자 1020050013874 (2005.02.19)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0092751 (2006.08.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종협 대한민국 서울특별시 강남구
2 홍수린 대한민국 서울 송파구
3 강태욱 대한민국 서울특별시 관악구
4 문정우 대한민국 서울특별시 관악구
5 오석일 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0088478-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2006-0030952-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0329740-96
5 의견서
Written Opinion		 2006.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0541231-39
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0541194-37
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-5093329-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.11.21 수리 (Accepted) 4-1-2006-0029727-44
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0737207-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
실리카 재질로 이루어진 투명한 지지체 층과, 상기 투명한 지지체 층 위의 한쪽 면에 크롬(Cr)을 코팅시킨 크롬 층과, 상기 크롬 층 위에 금(Au)을 코팅시킨 금 박막 층 및상기 금 박막 층 위에 한쪽 끝에는 싸이올 기(SH)와 다른 한쪽 끝에는 대상 중금속과 선택적 결합을 위한 말단 기능기를 포함하는 알칸 화합물로 형성된 자기조립 단분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
2 2
제 1항에 있어서,상기 크롬 층은 그 두께가 3내지 10 나노미터인 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
3 3
제 1항에 있어서,상기 금 박막 층은 그 두께가 40내지 100 나노미터인 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
4 4
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자층은 한쪽 끝에는 싸이올 기(SH)와, 다른 한쪽 끝에는 아민 기(NH3) 또는 이미다졸 중에서 선택되어진 알칸 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
5 5
제 4항에 있어서,상기 자기조립 단분자층은 알칸 화합물이 2-aminoethane thiolhydrochloride, 6-amino-1-hexanethiolhydrochloride 및 4-aminothiolphenol로 이루어진 그룹 중에서 선택되어진 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
6 6
제 4항에 있어서,상기 자기조립 단분자층은 수산화나트륨 수용액으로 표면 처리한 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
7 7
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자층은 양쪽 끝에 싸이올 기(SH)를 포함하는 알칸 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
8 8
제 6항에 있어서,상기 자기조립 단분자층은 알칸 화합물이 1,6-hexanedithiol, 1,3-propanedithiol, 1,4-butanedithiol, 1,5-pentaneduthiol, 1,8-octanedithiol 및 1,9-nonanedithiol로 이루어진 그룹 중에서 선택되어진 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 중금속 검출용 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.