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정렬된 나노구조물을 구비한 회로 기판 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015160035
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 회로 기판 제공 방법은 제1 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 기판 상에 회로-상기 회로는 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 하나의 나노구조물을 구비함-를 형성하는 단계, 및 상기 회로를 상기 제1 기판으로부터 중합체인 제2 기판의 표면으로 전이시키는 단계를 구비한다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H05K 1/00 (2006.01) H05K 3/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080076382 (2008.08.05)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1071325-0000 (2011.09.30)
공개번호/일자 10-2010-0016766 (2010.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20111007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.05)
심사청구항수 30

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 송파구
2 명 성 대한민국 대전광역시 서구
3 강주완 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태홍 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 ** (충정로*가, 풍산빌딩) **층(리인터내셔널 특허법률사무소)
2 신정건 대한민국 부산광역시 연제구 법원로**, ,****호 (거제동, 정림빌딩)(특허법인 티앤아이(부산분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0561788-85
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0641671-07
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0036660-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0210968-69
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0367258-51
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0451212-66
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0465609-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0534535-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0534536-12
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0530999-91
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0011276-14
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0011286-60
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0364485-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 제1 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 제1 기판 상에 회로-상기 회로는 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 하나의 나노구조물을 구비함-를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 회로를 상기 제1 기판으로부터 중합체인 제2 기판의 표면으로 전이시키는 단계를 포함하는 회로 기판 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제2 기판은 유연성 기판인 회로 기판 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 제2 기판은 실리콘 고분자 기판인 회로 기판 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제2 기판은 폴리디메틸실록산 기판인 회로 기판 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제1 기판은 반도체, 금속, 유리 또는 산화물 기판인 회로 기판 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 나노튜브, 나노와이어 또는 나노로드를 구비하는 회로 기판 제조 방법
7 7
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 (c1) 상기 회로가 형성된 상기 제1 기판 상에 유동성 물질을 도포하는 단계; (c2) 상기 회로가 형성된 상기 제1 기판 상에 도포된 유동성 물질을 경화시키는 단계; (c3) 상기 유동성 물질을 경화시킴으로써 얻어진 상기 제2 기판을 상기 제1 기판으로부터 분리함으로써 상기 회로를 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판으로 전이시키는 단계를 포함하는 회로 기판 제조 방법
8 8
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 제1 기판 상에 극성 분자 층 패턴과 비극성 분자 층 패턴을 형성하는 단계; 및 (b2) 상기 적어도 하나의 나노구조물을 상기 극성 분자 층 패턴에 자기 조립시키는 단계를 포함하는 회로 기판 제조 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b3) 상기 극성 분자 층 패턴 상에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 회로 기판 제조 방법
10 10
제8 항에 있어서, 상기 (b2) 단계에 있어서, 상기 제1 기판을 나노구조물들을 구비한 용액에 담금으로써 상기 적어도 하나의 나노구조물이 상기 극성 분자 층 패턴에 자기 조립되는 회로 기판 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 (b2) 단계에 있어서, 상기 용액 및 상기 제1 기판 사이에 바이어스 전압을 인가하는 회로 기판 제조 방법
12 12
제8 항에 있어서, 상기 비극성 분자 층 패턴은 메틸-말단의 화합물을 구비한 단분자 층 패턴인 회로 기판 제조 방법
13 13
제8 항에 있어서, 상기 극성 분자 층 패턴은 아미노-말단 또는 카복실-말단의 화합물을 구비한 단분자 층 패턴인 회로 기판 제조 방법
14 14
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 제1 기판 상면에 비극성 분자 층 패턴을 형성하는 단계; 및 (b2) 상기 제1 기판의 상면 중 상기 제1 기판이 노출된 노출 영역에 상기 적어도 하나의 나노구조물을 자기 조립시키는 단계를 포함하는 회로 기판 제조 방법
15 15
제14 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b3) 상기 제1 기판 상에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 회로 기판 제조 방법
16 16
제14 항에 있어서, 상기 (b2) 단계에 있어서, 상기 제1 기판을 나노구조물들을 구비한 용액에 담금으로써 상기 적어도 하나의 나노구조물이 상기 노출 영역에 자기 조립되는 회로 기판 제조 방법
17 17
제16 항에 있어서, 상기 (b2) 단계에 있어서, 상기 용액 및 상기 제1 기판 사이에 바이어스 전압을 인가하는 회로 기판 제조 방법
18 18
제14 항에 있어서, 상기 비극성 분자 층 패턴은 메틸-말단의 화합물을 구비한 단분자 층 패턴인 회로 기판 제조 방법
19 19
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 제1 기판 상에 희생 층 패턴을 형성하는 단계; (b2) 상기 제1 기판 상에 나노구조물들을 도포하는 단계; 및 (b3) 상기 희생 층 패턴을 제거함으로써, 상기 나노구조물들 중 상기 희생 층 패턴 상에 형성된 나노구조물들을 제거하는 단계를 포함하는 회로 기판 제조 방법
20 20
제19 항에 있어서, 상기 희생 층 패턴은 포토레지스트 패턴인 회로 기판 제조 방법
21 21
제19 항에 있어서, 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 수행되는 (d) 상기 기판 상에 릴리스 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 회로 기판 제조 방법
22 22
제21 항에 있어서, 상기 릴리스 층은 메틸-말단의 화합물을 구비한 단분자 층인 회로 기판 제조 방법
23 23
중합체 기판; 상기 중합체 기판의 표면에 위치한 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 나노구조물; 을 구비하되, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 상기 적어도 하나의 나노구조물에 의하여 형성된 패턴의 길이 방향으로 정렬되고, 상기 적어도 하나의 나노구조물의 적어도 일부분은 상기 중합체 기판의 내부에 위치한 회로 기판
24 24
제23 항에 있어서, 상기 중합체 기판은 유연성 기판인 회로 기판
25 25
제23 항에 있어서, 상기 중합체 기판은 실리콘 고분자 기판인 회로 기판
26 26
제23 항에 있어서, 상기 중합체 기판은 폴리디메틸실록산 기판인 회로 기판
27 27
제23 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물이 전선(electric line)으로서 사용되는 회로 기판
28 28
제23 항에 있어서, 상기 회로 기판이 센서로서 사용되는 회로 기판
29 29
삭제
30 30
제23 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 나노튜브, 나노와이어 또는 나노로드를 구비하는 회로 기판
31 31
제23 항 내지 제28 항, 또는 제30 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴의 길이 방향과 45도 이하의 각도를 가지는 나노구조물의 개수가 길이 방향과 45도 초과의 각도를 가지는 나노구조물의 개수의 2배 이상인 회로 기판
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08245393 US 미국 FAMILY
2 US20100032197 US 미국 FAMILY
3 US20120132459 US 미국 FAMILY
4 US20150181704 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010032197 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2012132459 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2015181704 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8245393 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.