| 1 |
1
소정 방향으로 나노 구조체를 배치하는 방법에 있어서,
기판상에 상기 소정 방향의 면을 갖는 희생 구조물을 형성하는 단계;
적어도 상기 희생 구조물의 상기 소정 방향의 면 상에 상기 나노 구조체를 형성하는 단계; 및
상기 희생 구조물을 제거하는 단계
를 포함하는 나노 구조체의 배치 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 나노 구조체를 형성하는 단계는,
상기 희생 구조물을 포함하는 결과물 상에 상기 나노 구조체가 형성될 영역과 그외의 영역을 구분하기 위한 분자막을 형성하는 단계; 및
상기 분자막과 상기 나노 구조체 사이의 흡착 정도를 이용하여 상기 나노 구조체가 형성될 영역에 상기 나노 구조체를 자기조립하는 단계를 포함하는
나노 구조체의 배치 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 나노 구조체는, 나노 와이어 또는 나노 튜브인
나노 구조체의 배치 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 희생 구조물을 제거하는 단계는,
습식 딥 아웃 방식으로 수행되는
나노 구조체의 배치 방법
|
| 5 |
5
수직 방향에서 상호 이격된 제1 및 제2 전극과 상기 제1 및 제2 전극을 연결시키도록 배치된 나노 구조체를 포함하는 나노 소자의 제조 방법에 있어서,
기판상에 수직면 및 상기 수직면과 연결되면서 상기 기판과 평행한 수평면을 갖는 희생 구조물을 형성하는 단계;
적어도 상기 희생 구조물의 상기 수직면 상에 상기 나노 구조체를 형성하는 단계;
상기 나노 구조체 양단의 상기 기판 및 상기 수평면 상에 상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 희생 구조물을 제거하는 단계
를 포함하는 나노 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 나노 구조체를 형성하는 단계는,
상기 희생 구조물을 포함하는 결과물 상에 상기 나노 구조체가 형성될 영역과 그외의 영역을 구분하기 위한 분자막을 형성하는 단계; 및
상기 분자막과 상기 나노 구조체 사이의 흡착 정도를 이용하여 상기 나노 구조체가 형성될 영역에 상기 나노 구조체를 자기조립하는 단계를 포함하는
나노 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,
상기 나노 구조체를 형성하는 단계는,
상기 제1 및 제2 전극이 형성될 영역에도 상기 나노 구조체가 배치되도록 수행되는
나노 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,
상기 나노 구조체는, 나노 와이어 또는 나노 튜브인
나노 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,
상기 희생 구조물을 제거하는 단계는,
습식 딥 아웃 방식으로 수행되는
나노 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
제5항 또는 제9항에 있어서,
상기 희생 구조물 제거 단계 후에,
기판 결과물을 건조시키는 단계
를 더 포함하는 나노 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제5항에 있어서,
상기 나노 소자는, 센서인
나노 소자의 제조 방법
|
