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단원자분자를 이용한 패터닝방법

  • 기술번호 : KST2015169086
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단원자분자를 이용한 패터닝방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 극자외선 또는 소프트 엑스레이를 사용하여 실리콘기판의 표면에 패턴을 형성시킴으로써 패턴을 형성시키는 과정이 줄면서도 미세한 수준에서 정밀도가 높은 패턴을 형성시킬 수 있는 기술이 개시된다.리소그래피, EUV, 패터닝, 흡착
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/2008(2013.01) G03F 7/2008(2013.01) G03F 7/2008(2013.01)
출원번호/일자 1020070097459 (2007.09.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0888886-0000 (2009.03.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황찬국 대한민국 경북 포항시 남구
2 전철호 대한민국 충남 계룡시
3 신현준 대한민국 경북 포항시 남구
4 문상운 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태동 대한민국 서울특별시 구로구 가마산로 ***, ***호(구로동, 대림오피스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전철호 경기도 화성시
2 황찬국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0695862-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0054965-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0591662-25
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0032710-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0032713-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0032714-99
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0073288-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고체의 표면에 단원자분자를 흡착시키어 분자층을 형성시키는 A단계;상기 A단계에서 형성된 분자층 표면에 오염물질층을 형성시키는 B단계; 상기 B단계에서 형성된 오염물질층의 표면 일부에 선택적으로 극자외선(EUV : Extreme Ultra violet) 또는 소프트 엑스레이(Soft X-ray)를 조사하여 패턴을 형성시키는 C단계; 및 상기 C단계에서 형성된 패턴에 기능성 분자를 흡착시킴으로서 분자 패턴을 형성시키는 D단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 C단계는 상기 B단계에서 오염물질층이 형성된 실리콘기판을 초고진공 상태(UHV : Ultra High Vacuum)의 챔버 내에 위치시킨 상태에서 극자외선 또는 소프트 엑스레이를 조사함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
4 4
제1항에 있어서,상기 C단계는 금메쉬(Gold Mesh)를 상기 오염물질층의 상면에 위치시킨 상태에서 극자외선 또는 소프트 엑스레이를 조사함으로써 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
5 5
제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단원자분자는 수소분자(H2)인 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
6 6
고체 표면에 단원자분자를 흡착시키어 분자층을 형성하는 A단계; 및상기 A단계에서 형성된 분자층의 표면에 선택적으로 집속된 극자외선(EUV : Extreme Ultra Violet) 또는 소프트 엑스레이(Soft X-ray)를 조사함으로써 패턴을 형성시키는 B 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
7 7
제6항에 있어서,상기 B단계에서 형성된 패턴에 기능성 분자를 흡착시킴으로서 분자 패턴을 형성시키는 C단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
8 8
제7항에 있어서,상기 기능성 분자는 산소(O2), 부탄티올(1-Butanethiol), 암모니아(NH3) 중에서 택일된 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
9 9
제6항에 있어서,상기 B단계는 상기 A단계에서 분자층이 형성된 고체를 초고진공 상태(UHV : Ultra High Vacuum)의 챔버 내에 위치시킨 상태에서 극자외선 또는 소프트 엑스레이를 조사함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
10 10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단원자분자는 염소분자(Cl2)인 것을 특징으로 하는 단원자분자를 이용한 패터닝방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.