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단결정의 산화아연 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174156
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 박막의 제조방법이 개시된다. 고유의 결정구조를 가지는 산화아연 단결정을 형성하기 위해 MOCVD 공정이 도입된다. 박막의 형성 초기에 기판 상에 핵 생성밀도를 증가시키기 위해 핵생성에 필요한 활성화 에너지는 낮추어진다. 활성화 에너지의 감소는 아연 대비 산소기체의 몰비를 조절하여 달성한다. 아연 대비 산소기체의 몰비가 특정한 비율 범위 내로 설정되면, 결함이 최소화된 단결정의 산화아연 박막이 형성된다. 산화아연, 발광다이오드, ZnO, 육방정계
Int. CL H01B 13/00 (2014.01) C23C 16/40 (2014.01) H01L 21/205 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01)
출원번호/일자 1020090024830 (2009.03.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0106723 (2010.10.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 최용석 대한민국 광주광역시 북구
3 강장원 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0176408-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0009899-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0215917-47
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0469674-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0469686-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0728741-07
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번호 청구항
1 1
MOCVD를 이용한 산화아연 박막의 제조방법에 있어서, 아연 소스가스 및 산소가스를 공급단계; 및 기판의 표면에서 단결정의 산화아연 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 단결정의 산화아연 박막의 형성은 아연 대비 산소기체의 몰비를 조절하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 300℃ 내지 900℃이고, 챔버 내의 압력은 20torr 내지 대기압이며, 상기 아연 대비 산소기체의 몰비는 7500 내지 50000인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 기판의 온도는 600℃ 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 챔버 내의 압력은 30torr 내지 80torr인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 아연 소스가스는 DMZn 또는 DEZn인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, 산화아연, SiC 또는 글래스 인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 아연 대비 산소기체의 몰비는 핵생성에 필요한 활성화 에너지를 낮추어 주어 상기 기판 상에 형성되는 핵의 밀도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
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