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표면 플라즈몬을 이용하는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014009810
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드가 개시된다. 발광 다이오드는 활성층과 n형 질화갈륨 박막 또는 활성층과 n형 AlGaN 클래딩층 사이에 은, 알루미늄 또는 금 등의 금속층으로 이루어진 표면 플라즈몬층을 구비한다. 표면 플라즈몬층을 가지는 발광 다이오드는 금속의 표면 플라즈몬층과 활성층의 사이의 공명 현상에 의해 발광 다이오드의 내부 양자 효율이 크게 개선된다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070005717 (2007.01.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0915502-0000 (2009.08.27)
공개번호/일자 10-2008-0068244 (2008.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 전북 전주시 완산구
2 김자연 대한민국 전북 전주시 완산구
3 박성주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0053476-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0672307-20
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0104072-62
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0104055-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0541527-64
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0872839-21
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0877698-41
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0046543-50
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0203045-65
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.07.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0034186-12
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0334030-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 n형의 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 하부 접촉층; 상기 n형의 하부 접촉층 상에 형성되고 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 장벽층 및 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 우물층으로 구성되고, 단일 또는 다중양자 우물구조를 가진 활성층; 상기 활성층 상에 구비된 p형의 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 상부 접촉층; 및 상기 활성층의 상부 또는 하부에 구비되는 은 또는 금인 금속층을 구비하되, 상기 금속층은 드롭 렛 형태의 요철 형상을 갖고, 상기 금속층의 표면 플라즈몬은 상기 활성층에서 발생되는 광자와 공명을 일으키는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 질화물계 발광 다이오드는 상기 상부 접촉층 하부에 p형 클래드층을 더 포함하고, 상기 금속층이 활성층 상에 구비된 경우, 상기 p형 클래드층은 상기 금속층과 상기 상부 접촉층 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 질화물계 발광 다이오드는 상기 하부 접촉층 상에 n형 클래드층을 더 포함하고, 상기 금속층이 활성층 하부에 구비된 경우, 상기 n형 클래드층은 상기 금속층과 상기 하부 접촉층 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.