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광결정 구조를 가지는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014013722
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨을 이용한 발광 다이오드에서 기판의 상부에는 광결정 구조가 구비된다. 광결정 구조는 기판과 질화갈륨층 사이에 형성되어 p형 질화박막의 식각 공정이 없기 때문에 용이한 p형 오믹전극의 형성이 실현된다. 또한, 굴곡된 사파이어에 질화갈륨층을 성장함에 따라 수평 성장을 촉진하고 박막 내의 결함을 최소화하여 광효율의 저하를 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/18(2013.01) H01L 33/18(2013.01) H01L 33/18(2013.01) H01L 33/18(2013.01) H01L 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020070005716 (2007.01.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0878979-0000 (2009.01.08)
공개번호/일자 10-2008-0068243 (2008.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 전북 전주시 완산구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구
3 김자연 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0053463-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0039271-84
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0215591-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0297537-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0297526-69
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0429643-57
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0718542-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0718546-81
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0718549-17
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0000779-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 n형의 하부 접촉층;상기 하부 접촉층 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 상부 접촉층을 포함하고,상기 기판 상에는 규칙적인 패턴이 형성된 광결정 패턴이 구비되고,상기 광결정 패턴은 규칙적으로 배열된 원형의 홀들을 가지고 상기 원형의 홀들의 배치는 직사각형 또는 육각형 배열을 가지며,상기 원형의 홀은 상기 하부 접촉층을 구성하는 물질로 매립되고, 발광되는 빛의 반파장의 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어이고, 상기 하부 접촉층은 질화갈륨으로 구성된 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드
5 5
기판;상기 기판 상에 규칙적인 패턴이 형성된 광결정 패턴;상기 광결정 패턴의 홀과 상부를 매립하는 도핑되지 않은 반도체층;상기 도핑되지 않은 반도체층 상에 형성된 n형의 하부 접촉층;상기 하부 접촉층 상에 형성된 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층; 및상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형의 상부 접촉층을 포함하고, 상기 광결정 패턴의 규칙적으로 배열된 상기 원형의 홀들의 배치는 직사각형 또는 육각형 배열을 가지고, 상기 원형의 홀은 발광되는 빛의 반파장의 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서, 상기 광결정 패턴은,상기 기판 상에 크롬을 도포하고,상기 도포된 크롬 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고,형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로하여 크롬으로 구성된 마스크 패턴을 형성하고,상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판을 식각하여 광결정 패턴을 형성하는 것에 의해 구비되는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드
8 8
제5항에 있어서, 상기 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드는, 상기 광결정 패턴 상에 상기 도핑되지 않은 반도체층의 성장을 위해 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.