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유기 메모리 소자 및 이의 특성 측정방법

  • 기술번호 : KST2015174268
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 메모리 소자 및 이의 특성 측정방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 유기 메모리 소자는 기판, 하부전극, 유기물층 및 상부전극을 순차적으로 포함하는 유기 메모리 소자이고, 상기 유기 메모리 소자는 유연하게 휘어지는 특성을 나타내며, 상기 유기 메모리 소자가 평평한(flat) 구조일 때의 전압에 따른 전류값과 휘어진 구조일 때의 전압에 따른 전류값의 비율이 1 : 0.1 ~ 10 인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 유기 메모리 소자는 휘어진 구조에서도 전류 전압 특성, 신뢰성 등이 우수하다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01)
CPC G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) G11C 13/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020100046650 (2010.05.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0127036 (2011.11.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 지용성 대한민국 광주광역시 북구
2 조병진 대한민국 광주광역시 북구
3 송성훈 대한민국 광주광역시 북구
4 이탁희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0319459-62
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0048007-53
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0356322-28
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0559643-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072886-61
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0175470-47
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0417044-74
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0504584-25
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0591956-24
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0629092-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 하부전극, 유기물층 및 상부전극을 순차적으로 포함하는 유기 메모리 소자에 있어서,상기 유기 메모리 소자는 유연하게 휘어지는 특성을 나타내고,상기 유기 메모리 소자가 평평한(flat) 구조일 때의 전압에 따른 전류값과 휘어진 구조일 때의 전압에 따른 전류값의 비율이 1 : 0
2 2
기판, 하부전극, 유기물층 및 상부전극을 순차적으로 포함하는 유기 메모리 소자에 있어서,상기 유기 메모리 소자는 유연하게 휘어지는 특성을 나타내고,상기 유기 메모리 소자가 평평한(flat) 구조일 때의 온/오프(ON/OFF) 전류비값과 휘어진 구조일 때의 온/오프(ON/OFF) 전류비값의 비율이 1 : 0
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PES(poly ether sulfone), 폴리이미드 필름 및 PDMS(polydimethylsiloxane)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 하부전극은 텅스텐(W), WN, Ti, TiN, TiAlN, TiSiN, Ta, TaN, TaSiN, Ni, Cr, Ru, RuO2, RuSiN, Ir, IrO2, 알루미늄(Al) 및 인듐틴옥사이드(ITO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,상기 상부전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판과 하부전극 사이에 Au 층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 하부전극은 Al을 포함하고, 상기 기판과 Au 층 사이에는 Ti 층이 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유기물층은 폴리(2-비닐 피리딘), 폴리(4-비닐 피리딘), 폴리비닐피롤리돈, 폴리알릴아민, 폴리에틸렌아민, 폴리아크릴아마이드, 폴리아미도아민, 폴리이미드 및 PCBM(6,6-phenyl-C61-butyric acid methyl ester)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유기 메모리 소자는 유기 저항 변화형 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자
9 9
1) 기판, 하부전극, 유기물층 및 상부전극을 순차적으로 포함하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자를 준비하는 단계,2) 상기 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자가 평평한(flat) 구조일 때의 전압에 따른 전류값 또는 온/오프(ON/OFF) 전류비값을 측정하는 단계,3) 상기 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자가 휘어진 구조일 때의 전압에 따른 전류값 또는 온/오프(ON/OFF) 전류비값을 측정하는 단계,4) 상기 2) 단계 및 3) 단계에서 측정한 전압에 따른 전류값 또는 온/오프(ON/OFF) 전류비값을 비교하는 단계를 포함하는 플렉서블(flexible) 유기 메모리 소자의 특성 측정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 / 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 / 광주과학기술원 시스템집적반도체기반기술개발사업 / 2007년도 국가지정연구실사업 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발 / 단분자 기반 메모리 소자 기술 개발