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ZnO 계열 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;
상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되며, 적어도 하나의 압축 스트레인을 갖는 InGaN 양자우물층과 인장 스트레인을 갖는 InGaN 장벽층이 교대로 증착된 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조의 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층을 구비하는 반도체 발광소자
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2
제1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 n형 질화물 반도체층 사이에 버퍼층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자
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3
제1 항에 있어서,
상기 p형 및 n형 질화물 반도체층에 각각 접속되는 p형 및 n형 전극을 포함하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자
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4
제1 항에 있어서,
상기 InGaN 양자우물층의 인듐 조성을 0
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제1 항에 있어서,
상기 ZnO 계열 기판에 투명한 n형 전극이 형성되고, p형 질화물 반도체층에는 거울 역할을 하는 p형 전극을 형성하여 상기 ZnO 계열 기판 쪽으로 광을 추출하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자
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6
제1 항에 있어서,
상기 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층은 메사 식각되어 그 일부 영역이 제거됨으로써 n형 전극과 p형 전극이 형성된 구조인 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자
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7
제1 항에 있어서,
상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 중 적어도 하나에 접속되는 분포궤환 반사층을 더 구비하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자
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8
제1 항에 있어서,
상기 p형 질화물 반도체층의 광 추출 면에 주기적인 광자결정, 마이크로 렌즈 또는 인위적인 표면 거칠기를 갖는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자
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(a) ZnO 계열 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
(b) 상기 n형 질화물 반도체층 상에 적어도 하나의 압축 스트레인을 갖는 InGaN 양자우물층과 인장 스트레인을 갖는 InGaN 장벽층이 교대로 증착된 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조의 활성층을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제9 항에 있어서,
(d) 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 드러내는 단계; 및
(e) 상기 p형 및 n형 질화물 반도체층에 각각 접속되는 p형 및 n형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자의 제조방법
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11
제9 항에 있어서,
상기 기판과 상기 n형 질화물 반도체층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자의 제조방법
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제9 항에 있어서,
상기 ZnO 계열 기판에 투명한 n형 전극을 형성하고, p형 질화물 반도체층에는 거울 역할을 하는 p형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 상기 ZnO 계열 기판 쪽으로 광을 추출하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자의 제조방법
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제9 항에 있어서,
상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 중 적어도 하나에 접속되는 분포궤환 반사층을 형성하는 단계를 더 구비하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자의 제조방법
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제9 항에 있어서,
상기 p형 질화물 반도체층의 광 추출 면에 주기적인 광자결정, 마이크로 렌즈 또는 인위적인 표면 거칠기를 형성하는 단계를 더 구비하는 스트레인 보상 하이브리드 양자우물 구조를 갖는 반도체 발광소자의 제조방법
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