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유리기판위에 포토리소그래피를 사용하여 부분적으로 투명전극을 식각하는 과정과, 투명전극 식각후 유리기판을 소정 깊이로 과식각하는 과정, 과식각된 유리기판 부분에 게이트 금속을 증착하는 과정, 남아있는 투명전극 부분에 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 과정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼극관 전계방출소자의 하부기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 포토리소그래피는 식각속도를 고려하여 얻고자 하는 게이트 넓이보다 작은 빛이 투과하는 부분을 갖는 포토마스크를 사용하며, 포토레지스트 경화제로 모노클로로벤젠을 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 과식각 과정은, 유리기판을 깊이 5㎛~10㎛로 과식각 하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 증착과정에서 생성된 게이트 금속층의 높이는 3㎛~5㎛인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 투명전극은 ITO 식각액, LCE-12K를 사용하여 물중탕하여 약40℃에서 2분간 식각하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 유리기판을 BOE(buffered oxide ethylene)을 사용하여 20분간 초음파세척기 안에서 식각한 후, 세척을 하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 포토리소그래피로 게이트전극을 라인 패터닝하고 전도도와 반사율이 좋은 Al, Au, Pt등을 에미터보다 낮게 위치시키는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에미터를 형성하는 페이스트화된 탄소나노튜브는 마스크를 사용하여 후면노광으로 투명전극위에 접착하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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돌출부와 수평부가 다수 형성된 유리기판(1)과, 이 유리기판(1)의 돌출부 상에 코팅된 전도성투명전극(2), 상기 유리기판(1)의 수평면에 증착된 반사면 게이트 전극(6), 상기 전도성투명전극(2) 상에 형성된 탄소나노튜브 에미터(4)를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 삼극관 전계방출소자의 하부기판
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돌출부와 수평부가 다수 형성된 유리기판(1)과, 이 유리기판(1)의 돌출부 상에 코팅된 전도성투명전극(2), 상기 유리기판(1)의 수평면에 증착된 반사면 게이트 전극(6), 상기 전도성투명전극(2) 상에 형성된 탄소나노튜브 에미터(4)를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 삼극관 전계방출소자의 하부기판
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