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N-도핑된 그래핀 양자 시트, 및 이의 제조 방법(N-DOPED GRAPHENE QUANTUM SHEET, AND RPODUCING METHOD OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2015230821
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 화학기상증착법에 의하여 촉매층 상에서 형성된 단층 그래핀에 질소 플라즈마를 인가하는 것을 포함하는 N-도핑된 그래핀 양자 시트의 제조 방법, 및 상기 제조 방법으로 형성되어 증가된 결함 부위 및 증가된 N-도핑양을 함유하는 N-도핑된 그래핀 양자 시트를 제공한다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020140072258 (2014.06.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1633688-0000 (2016.06.21)
공개번호/일자 10-2015-0143134 (2015.12.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병희 대한민국 서울특별시 강남구
2 문준희 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0554817-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0030247-82
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0487222-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0882267-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0882268-82
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0055440-45
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0201967-84
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0201905-64
12 등록결정서
Decision to grant		 2016.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0442273-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학기상증착법에 의하여 촉매층 상에서 형성된 단층 그래핀에 질소 플라즈마를 인가하여 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점을 수득하는 것을 포함하고,상기 질소 플라즈마를 인가함으로써 상기 단층 그래핀에 결함(defect) 형성 및 N-도핑이 증가되는 것인,N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 수득된 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점을 건식-전사 방법을 이용하여 기재 상에 전사하는 것을 추가 포함하는, N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 수득된 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점을 용매 추출 기술을 이용하여 유기 용매에 분산시키는 것을 추가 포함하는, N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 글로벌프론티어연구개발사업-나노기반소프트일렉트로닉스연구 이차원 소프트 나노소재