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발광 다이오드 제조 방법 및 그를 통해 제조된 발광 다이오드(METHOD FOR MANUFACTURING LED AND LED)

  • 기술번호 : KST2016006586
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 제조 방법 및 그를 통해 제조된 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 성장 기판을 마련하는 단계; 상기 성장 기판 상에 희생 GaN 층을 성장시키는 단계; 상기 희생 GaN 층 상에 적어도 하나의 반도체층, 및 활성층을 포함하는 발광 구조물을 성장하는 단계; 및 상기 희생 GaN 층을 제거하여 상기 발광 구조물과 상기 성장 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/12 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020160012356 (2016.02.01)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1682169-0000 (2016.11.28)
공개번호/일자 10-2016-0018640 (2016.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20161212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0169338 (2013.12.31)
관련 출원번호 1020130169338
심사청구여부/일자 Y (2016.02.01)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전헌수 대한민국 서울특별시 관악구
2 김동욱 대한민국 서울특별시 관악구
3 장호준 대한민국 서울특별시 관악구
4 차형래 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0106383-79
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0113125-17
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0363909-01
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0467695-20
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0577073-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0657622-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0657621-19
8 등록결정서
Decision to grant
2016.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0849311-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드 제조 방법으로서,(a) 반도체층을 성장시키기 위한 성장 기판을 마련하는 단계;(b) 상기 성장 기판의 전체 면적 상에 질화알루미늄인듐갈륨(AlxInyGa1-x-yN ; 0 ≤ x, y ≤ 1)을 포함하는 GaN 기반의 희생층을 성장시키는 단계;(c) 상기 GaN 기반의 희생층 상에 적어도 하나의 반도체층을 포함하여 구성되며 질화알루미늄인듐갈륨(AlxInyGa1-x-yN ; 0 ≤ x, y ≤ 1)를 포함하는 발광 구조물을 성장하는 단계;(d) 상기 GaN 기반의 희생층을 제거하여 상기 발광 구조물과 상기 성장 기판을 분리하는 단계;를 포함하며,상기 (b), (c) 단계는 하나의 성장 장치 내에서 동일한 성장 방법으로 연속적으로 이루어지되,상기 (b) 단계는, (e) 0
2 2
제1항에 있어서,상기 성장 기판은,사파이어를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020150079253 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학 세계수준의 연구중심대학(WCU)육성사업 물리 및 화학 융합기술을 이용한 세포다이나믹스 연구