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산화물 박막 형성용 용액 조성물 및 상기 산화물 박막을 포함하는 전자 소자(SOLUTION COMPOSITION FOR FORMING OXIDE THIN FILM AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2016014875
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연을 함유하는 제1 화합물, 인듐을 함유하는 제2 화합물 및 마그네슘을 함유하는 제3 화합물을 포함하는 산화물 박막 형성용 용액 조성물과 상기 용액 조성물로부터 형성되며 아연, 인듐 및 마그네슘을 포함하는 산화물 반도체를 포함하는 전기 소자를 제공한다. 또한 아연을 함유하는 제1 화합물, 인듐을 함유하는 제2 화합물 및 하프늄을 함유하는 제3 화합물을 포함하고, 상기 아연과 상기 하프늄의 원자수 비율이 1:0.01 내지 1:1인 산화물 박막 형성용 용액 조성물 또한 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01) H01L 29/26 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020160093408 (2016.07.22)
출원인 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0091309 (2016.08.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090031000   |   2009.04.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2010-0026314 (2010.03.24)
관련 출원번호 1020100026314
심사청구여부/일자 Y (2016.07.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선종백 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
3 류명관 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김건희 대한민국 경기도 화성
5 박경배 대한민국 경기도 화성
6 신현수 대한민국 경기도 수원시 영통구
7 정웅희 대한민국 서울특별시 동작구
8 안병두 대한민국 경기 화성
9 이상윤 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0714957-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0554650-42
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0960246-20
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0960245-85
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0134411-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연을 함유하는 제1 화합물,인듐을 함유하는 제2 화합물, 그리고하프늄을 함유하는 제3 화합물을 포함하고,상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율은 1:10 내지 10:1이고,상기 아연과 상기 하프늄의 원자수 비율은 1:0
2 2
제1항에서, 상기 아연과 상기 하프늄의 원자수 비율은 1:0
3 3
제1항에서,상기 제1 화합물은 아연 아세테이트 수화물이고, 상기 제2 화합물은 인듐 나이트레이트 수화물이고, 상기 제3 화합물은 하프늄 클로라이드인 산화물 박막 형성용 용액 조성물
4 4
제1항에서,알코올 아민 화합물, 알킬 암모늄 하이드록시 화합물, 알킬 아민 화합물, 케톤 화합물, 산 화합물, 염기 화합물 및 탈이온수에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 산화물 박막 형성용 용액 조성물
5 5
아연, 인듐 및 하프늄을 포함하는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체의 상기 아연과 상기 인듐의 원자수 비율은 1:10 내지 10:1이고,상기 산화물 반도체의 상기 아연과 상기 하프늄의 원자수 비율은 1:0
6 6
제5항에서, 상기 아연과 상기 하프늄의 원자수 비율은 1:0
7 7
제5항에서,상기 전자 소자는 박막 트랜지스터이고,상기 박막 트랜지스터는상기 산화물 반도체와 중첩하는 게이트 전극,상기 산화물 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극, 그리고상기 산화물 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 더 포함하는전자 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101664958 KR 대한민국 FAMILY
2 US08319300 US 미국 FAMILY
3 US08658546 US 미국 FAMILY
4 US20100258793 US 미국 FAMILY
5 US20130036943 US 미국 FAMILY

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1 KR101664958 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20100112522 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 US2010258793 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8319300 US 미국 DOCDBFAMILY
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