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마이크로임프린팅을 이용한 ＰＶＤＦ 박막의 강유전성 패턴어레이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015125774
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 α크리스탈 구조의 PVDF 박막의 강유전성 발현 방법에 있어서, 기판 위에 PVDF 용액을 스핀코팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I); 스핀코팅된 PVDF 박막 위에 패턴화된 마이크로몰드를 접촉시키는 단계(II); 및 상기 PVDF 박막 및 마이크로몰드를 함께 가압 및 가온을 하여, PVDF 박막의 α 크리스탈을 γ크리스탈로 변화시키는 단계(III)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법을 제공한다.본 발명의 방법은 마이크로임프린팅 기법과 가압 및 가온을 통해, PVDF 박막의 상유전특성(para-electric)을 갖는α 크리스탈을 강유전성 γ 크리스탈로 트랜스폼할 수 있으며, 또한, 토포그래픽(tophographic)하게 패턴화된 마이크로몰드로 PVDF 박막을 마이크로임프린팅, 가압 및 가온하는 경우, 마이크로몰드로 가압된 영역에서만 선택적으로 강유전체 γ 크리스탈로 트랜스폼되어, 토포그래픽(tophograhic)한 PVDF 패턴어레이를 생산할 수 있다.PVDF, 마이크로임프린팅, 강유전성, α크리스탈, β크리스탈, γ크리스탈
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020060074049 (2006.08.07)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0806699-0000 (2008.02.18)
공개번호/일자 10-2008-0013053 (2008.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20080227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 강석주 대한민국 서울 서초구
3 박연정 대한민국 서울 동작구
4 정희준 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0562808-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.09.06 수리 (Accepted) 4-1-2006-5127057-77
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0048952-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0507255-18
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0705275-74
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0815458-24
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0075889-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
α크리스탈 구조의 PVDF 박막의 강유전성 발현 방법에 있어서, 기판 위에 PVDF 용액을 스핀코팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I);스핀코팅된 PVDF 박막 위에 패턴화된 마이크로몰드를 접촉시키는 단계(II); 및상기 PVDF 박막 및 마이크로몰드를 함께 가압 및 가온을 하여, PVDF 박막의 α 크리스탈을 γ크리스탈로 변화시키는 단계(III)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 마이크로몰드가 PDMS(Polydimethylsiloxane) 몰드인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 가압은 200 kPa ~ 1 MPa인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 가온은 167 ~ 180℃인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 가압 및 가온 시간이 2분 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 PVDF 박막을 제조하는 단계(I) 이후 용융(melting)과 재결정(recrystallization)을 통해 PVDF 박막의 표면 굴곡을 평평하게 하는 단계(I-1)을 더 추가하는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.