맞춤기술찾기

이전대상기술

원자적으로 평평한 다결정 STO 기판 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING ATOMICALLY FLAT POLYCRYSTALLINE STO SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2016019972
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법이 개시된다. 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법은 다결정(polycrystalline) STO(SrTiO3) 기판을 에칭하는 단계; 및 상기 다결정 STO 기판을 어닐링하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3063 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01)
출원번호/일자 1020150072666 (2015.05.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0138620 (2016.12.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.26)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최우석 대한민국 서울특별시 송파구
2 김윤석 대한민국 서울특별시 강남구
3 서호성 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 우성민 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 이상아 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0498729-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0117139-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0658282-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-1103556-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1103597-41
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
8 등록결정서
Decision to grant
2017.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0216713-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화스트론튬 분말 및 산화티타늄 분말이 혼합된 혼합 분말을 1200 ℃에서 열처리하여, 표면에너지 크기가 서로 구분되는 (100), (110), 및 (111) 결정학적 방향을 갖는 다결정(polycrystalline) STO(SrTiO3) 기판을 제조하는 단계;불화수소(HF) 완충용액에 상기 다결정 STO 기판을 노출시켜 에칭하는 단계; 및 상기 다결정 STO 기판을 1200 ℃에서 어닐링하는 단계를 포함하고,상기 다결정 STO 기판의 (100), (110), 및 (111) 결정학적 방향이 동시에 평탄화되는 것을 특징으로 하는,원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 다결정 STO 기판을 에칭하기 직전에 상기 다결정 STO 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는, 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 다결정 STO 기판을 에칭한 직후에 상기 다결정 STO 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는, 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 다결정 STO 기판을 에칭하는 단계는, 불화수소(HF) 완충용액에 상기 다결정 STO 기판을 15 내지 420초간 노출시켜 수행되는 것을 특징으로 하는, 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 다결정 STO 기판을 어닐링하는 단계는, 상기 다결정 STO 기판을 공기 분위기에서 4 내지 8시간 동안 가열함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 다결정 STO 기판은 다수개의 평평한 부분인 테라스를 갖고, 상기 테라스의 표면거칠기는 0
7 7
제1항에 있어서,상기 불화수소(HF) 완충용액은 플루오르화암모늄(NH4F) 및 불화수소(HF)가 10:1의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는, 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 핵심개인연구 원자수준 제어를 바탕으로 한 에너지 원리의 이해