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2차원 반도체의 도핑 방법에 있어서,기판 상에, 감광 입자가 포함된 절연층을 형성하는 단계;열처리 공정을 통해, 상기 절연층에 포함된 상기 감광 입자를 절연층의 표면으로 이동시키는 단계;상기 절연층 상에, 2차원 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층에 포함된 상기 감광 입자의 흡수 파장에 대응하는 빛을 노광시키고, 상기 감광 입자의 광학적 활성화를 통해 상기 2차원 반도체층에 포함된 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계를 포함하는, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계 이전에, 상기 감광 입자가 포함된 절연층 및 2차원 반도체층이 형성된 기판을 어닐링하는 단계를 더 포함하는, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계는 빛의 노광에 의해 상이 변화된 감광 입자의 산화 또는 환원 반응을 통해 상기 2차원 반도체 물질에 전하가 전달되는 것인, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 감광 입자는 광자를 흡수하여 전자를 전달하는 광유발 전자 전달(Photoinduced Electron Transfer, PET) 물질인 것인, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 감광 입자는 셀렌화카드뮴 (CdSe), 산화타이타늄(TiO2), 및 루테늄 (Ruthenium) 화합물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2차원 반도체 물질은전이금속칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenide) 중 어느 하나를 포함하는 것인, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 감광 입자가 포함된 절연층은오인산화인(P2O5)이 포함된 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 포함하는 것인, 2차원 반도체의 도핑 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질의 도핑 농도는,상기 감광 입자가 상기 절연층의 표면에 분포하는 양 및 상기 감광 입자와 상기 2차원 반도체 물질과의 거리 중 적어도 하나에 따라 조절되는 것인, 2차원 반도체의 도핑 방법
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청구항 1항 내지 8항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 통해 도핑된 2차원 반도체
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