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층 수 제어가능한 이황화몰리브덴 박막 제조방법(METHOD OF MANUFACTURING THIN LAYER OF MOLYBDENUM DISULFIDE)

  • 기술번호 : KST2017007957
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 층수 제어가 가능한 이황화몰리브덴 박막 제조방법이 개시된다. 상기 이황화몰리브덴 박막 제조방법은 절연기판을 산소 플라즈마에 노출시키는 단계; 및 몰리브데늄 및 황을 반응시켜 상기 기판상에 이황화몰리브덴 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 절연기판의 상기 산소 플라즈마 노출시간을 조절하여 상기 이황화몰리브덴 박막의 두께를 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02557(2013.01)
출원번호/일자 1020150160000 (2015.11.13)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0056386 (2017.05.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성주 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 장성규 대한민국 경기도 부천시 원미구
3 전수민 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 전재호 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-1109947-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연기판을 산소 플라즈마에 노출시키는 단계; 및몰리브데늄 및 황을 반응시켜 상기 기판상에 이황화몰리브덴 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 절연기판의 상기 산소 플라즈마 노출시간을 조절하여 상기 이황화몰리브덴 박막의 두께를 조절하는, 이황화몰리브덴 박막 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 이황화몰리브덴 박막을 형성하는 단계는,몰리브데늄 소스 및 황 소스를 이용한 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 공정을 포함하는,이황화몰리브덴 박막 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 이황화몰리브덴 박막은 3층 이하의 분자층으로 이루어진, 이황화몰리브덴 박막 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 산소 플라즈마 노출시간이 120초 미만인 경우 상기 박막형성단계에서 이황화몰리브덴 단층이 형성되고,상기 플라즈마단계의 플라즈마 처리시간이 120초 이상 300초 미만인 경우 상기 박막형성단계에서 이황화몰리브덴 박막 2층이 형성되며,상기 플라즈마단계의 플라즈마 처리시간이 300초 이상인 경우 상기 박막형성단계에서 이황화몰리브덴 박막 3층이 형성되는,이황화몰리브덴 박막 제조방법
5 5
절연기판을 챔버 내에서 산소 플라즈마에 노출시키는 단계; 및몰리브데늄 및 황을 반응시켜 상기 기판상에 이황화몰리브덴 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 챔버 내의 압력, 상기 산소 플라즈마에 인가되는 전원 및 상기 산소 플라즈마를 생성하기 위해 주입되는 산소가스의 유량 중 적어도 하나를 조절하여 상기 이황화몰리브덴 박막의 두께를 조절하는, 이황화몰리브덴 박막 제조방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 의해 제조된 이황화몰리브덴 박막을 채널층으로 사용하는,박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광주과학기술원 글로벌프론티어연구개발사업(하이브리드 인터페이스 기반 미래소재연구) 인공두뇌급 고성능 소자구현을 위한 3D 직접 반도체 원천기술 개발
2 미래창조과학부 세종대학교 미래유망융합기술파이오니어사업 유해감성의 선택적 미세제어를 위한 나노공정 기반 생체삽입형 집적소자 개발