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발광다이오드용 발광층 및 이의 제조 방법(EMITTING LAYER FOR LIGHT EMITTING DIODE AND PREPARING METHOD OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017010257
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드용 발광층, 상기 발광다이오드용 발광층의 제조 방법, 및 상기 발광층을 포함하는 발광다이오드에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/50 (2016.01.26) H01L 51/56 (2016.01.26) H01L 21/02 (2016.01.26)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020150179376 (2015.12.15)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0071255 (2017.06.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박준균 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 정석원 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이상현 대한민국 서울특별시 중랑구
5 서병찬 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1229336-28
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0759689-18
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1257556-02
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1257606-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0299747-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0511258-04
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.05.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0511309-34
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0426419-22
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연막에 의해 코팅된 발광 양자점을 포함하며,상기 절연막은 SiO(CH3)3 산화막을 포함하는 것이고,상기 산화막은 상기 발광 양자점에 코팅된 헥사메틸디실라잔이 산화되어 형성되는 것이며,상기 산화막의 두께는 1 nm 내지 10 nm인 것인,발광다이오드용 발광층
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 발광 양자점은 MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, CdHgTe, CuInS, ZnCuInS, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 발광다이오드용 발광층
5 5
발광다이오드용 발광층의 제조 방법에 있어서,발광 양자점을 절연막에 의하여 코팅하는 단계;상기 절연막에 의해 코팅된 발광 양자점을 공기 중에서 반응시키는 단계; 및,상기 반응에 의해 상기 발광 양자점의 표면에 산화막이 형성되는 단계를 포함하고, 상기 절연막은 SiO(CH3)3 산화막을 포함하는 것이며,상기 산화막은 헥사메틸디실라잔이 산화되어 형성되는 것이고,상기 산화막의 두께는 상기 헥사메틸디실라잔의 농도에 따라 조절가능한 것이며,상기 발광층의 양자점과 상기 산화막을 하이브리드로 제조함으로써 하나의 공정으로 단순화시킬 수 있는 것인,발광다이오드용 발광층의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
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서로 대향 배치되는 양극과 음극;상기 양극과 음극 사이에 형성되는 전자주입층과 정공주입층; 및,상기 전자주입층과 상기 정공주입층 사이에 제 1 항 또는 제 4 항에 따른 발광층을 포함하는,발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심개인연구) 1/3 무독성 펩타이드 양자점 기반 비접촉식 쇼트키 장벽 OLED 소자 개발