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이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서 및 그 제조방법(Backside illumination-typed silicon photomultiplier and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017010938
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광검출 효율을 향상시킬 수 있는 실리콘 광전자 증배센서가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 광전자 증배센서는 p층 위에 n웰이 형성되는 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및 상기 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 상의 IC 기판;을 구비하는 실리콘 광전자 증배센서이며, 센싱하고자 하는 광은 상기 p층에서 상기 IC 기판 방향으로 조사되는 광을 포함하는 이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서이다.
Int. CL H01L 31/107 (2016.02.03) H01L 31/109 (2016.02.03) H01L 31/0216 (2016.02.03)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020150184026 (2015.12.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0074582 (2017.06.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규성 대한민국 대전광역시 유성구
2 임경택 대한민국 대전광역시 유성구
3 김형택 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1259364-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0134898-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0742161-37
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1237688-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1237687-16
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0297016-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0505921-71
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0505920-25
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0467646-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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p층 위에 n웰이 형성되는 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및 상기 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 상의 IC 기판;을 구비하는 실리콘 광전자 증배센서이며, 상기 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체는 광이 조사되는 방향을 따라서 순차적으로 배치된 p+웰, p-에피택셜층, n+웰을 포함하고, 상기 n+웰의 에지에 추가적인 n 타입 도핑을 통해 형성된 n-웰 가드링(guard ring)을 더 포함하며, 센싱하고자 하는 광은 상기 p+웰에서 상기 IC 기판 방향으로 조사되는 광을 포함하고,상기 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체와 상기 IC 기판 사이에 개재되어, 하나의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체에서 발생하는 2차 광자가 인접한 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체로 이동하는 것을 차단하는, 서로 이격된 복수개의 광자 차단막을 더 포함하고,상기 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 각각과 상기 광자 차단막 사이에 개재되고, 산화막으로 이루어진 절연막을 더 포함하고, 상기 광자 차단막은 금속을 포함하여 상기 2차 광자를 통과시키지 않고 반사하는 반사막으로 이루어지며,상기 절연막을 관통하여 상기 n+웰과 상기 복수개의 광자 차단막을 연결하는 도전 통로인 콘택 패턴; 및하나의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체에서 발생하는 2차 광자가 인접한 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체로 이동하는 것을 차단하도록, 상기 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 각각의 사이에 개재되는 복수개의 다른 차단막을 더 포함하는, 이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서
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제 1 항에 있어서,상기 n+웰은 상기 p-에피택셜층의 양면 중 상기 IC 기판과 대면하는 면을 통한 n 타입 도핑에 의하여 상기 p-에피택셜층 내에 형성된, 이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 나노종합기술원 나노 Open Innovation Lab 협력사업 극저조도 영상 나노 소자를 활용한 방사선 계측모듈 상용화