맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법(OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017012998
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 반도체로 구성되는 활성층 및 상기 활성층을 보호하는 패시베이션층을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 패시베이션층은 산소 전구체로서 오존(O3)을 이용한 원자층 증착법(ALD)을 통하여 상기 활성층 상에 형성되고, 상기 산화물 박막 트랜지스터는 어닐링 처리되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2016.03.15) H01L 21/02 (2016.03.15) H01L 21/28 (2016.03.15) H01L 21/324 (2016.03.15) H01L 29/66 (2016.03.15)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020160011195 (2016.01.29)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0090622 (2017.08.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.29)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 정한얼 대한민국 광주광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0098098-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0030701-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0340988-95
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0677371-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0677348-52
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0832048-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0099029-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0098992-00
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0436970-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 반도체로 구성되는 IGZO로 이루어지는 활성층 및 상기 활성층을 보호하는 패시베이션층을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서,상기 패시베이션층은 Y2O3로 이루어지고, 5 ㎚ 내지 100 ㎚ 범위의 두께를 가지며,상기 패시베이션층은 산소 전구체로서 오존(O3)을 이용한 원자층 증착법(ALD)을 통하여 상기 활성층 상에 형성되고,상기 산화물 박막 트랜지스터는 어닐링 처리되며,상기 어닐링 처리는 진공 조건에서, 150℃ 내지 250℃ 범위의 온도로 10분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국디스플레이연구조합 산업기술혁신사업 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발