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박막 형성 방법(METHOD FOR FORMING THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2017013393
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중간층(interlayer)의 형성을 억제하는 박막 형성 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 형성 방법은 기판이 배치된 챔버 내에 전구체 가스를 공급하는 것, 챔버 내에 제1 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버를 퍼징하는 것, 챔버 내에 플라즈마 가스를 공급하는 것, 및 챔버 내에 제2 퍼지 가스를 공급하여 챔버를 퍼징하는 것을 포함하고, 챔버 내에 플라즈마 가스를 공급하는 것은, 챔버 내에 상기 플라즈마 가스를 공급하면서, 상기 기판과 상기 박막 사이에 중간층의 형성을 억제하도록 미리 결정된 제1 주파수 및 제1 전력의 플라즈마 전력을 인가하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) C23C 16/448 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020160014605 (2016.02.05)
출원인 연세대학교 산학협력단, 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1942819-0000 (2019.01.22)
공개번호/일자 10-2017-0093342 (2017.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20190130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 오일권 대한민국 서울특별시 서대문구
3 윤창모 대한민국 서울특별시 서대문구
4 이한보람 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0125481-35
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0024549-43
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0251610-17
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0357015-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075573-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0624241-92
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1099059-94
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-1208612-68
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0013318-32
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0013319-88
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0304499-71
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0625066-64
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0762090-85
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0871922-91
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0871921-45
16 등록결정서
Decision to grant
2019.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0038486-05
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 산화알루미늄 박막을 형성하는 박막 형성 방법으로서,상기 실리콘 기판이 배치된 챔버 내에 알루미늄 전구체 가스를 공급하고,상기 챔버 내에 플라즈마 가스를 공급하면서, 상기 실리콘 기판과 상기 산화알루미늄 박막 사이에 Si, Al 및 O가 모두 혼합되어 있는 층인 중간층이 형성되지 않도록, 미리 결정된 제1 주파수 및 제1 전력의 플라즈마 전력을 인가하는 것을 포함하고,상기 제1 주파수는 30 ~ 300 MHz 대역 내에서 미리 결정된 주파수이고, 상기 제1 전력은 50 W 초과 300 W 미만의 범위 내에서 미리 결정된 전력이고,상기 알루미늄 전구체 가스를 구성하는 전구체 물질의 상기 기판으로의 침투 깊이, 그리고 상기 플라즈마 가스를 구성하는 소스 물질의 상기 기판으로의 침투 깊이가 각각 3nm 미만이 되도록 상기 제1 주파수 및 상기 제1 전력을 인가하는 박막 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 전력은 100W인 박막 형성 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제1 주파수는 60MHz인 박막 형성 방법
6 6
삭제
7 7
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8 8
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1 WO2017135560 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2017135560 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교산학협력단 산업기술혁신사업 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발