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전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터 및 그 제조방법(TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017013898
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 전이금속 디칼코게나이드 활성층; 상기 활성층 상에 서로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 활성층 상에 상기 활성층을 보호하도록 형성된 패시베이션층; 및 상기 패시베이션층 상에 형성된 게이트 전극을 포함한다. 상기 활성층은 산소(O2) 또는 산소화합물을 이용한 플라즈마에 의하여 표면처리되며, 상기 패시베이션층은 원자층증착법(ALD), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2016.03.26) H01L 21/285 (2016.03.26) H01L 21/02 (2016.03.26) H01L 21/28 (2016.03.26) H01L 29/423 (2016.03.26) H01L 29/66 (2016.03.26)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020160019946 (2016.02.19)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0098053 (2017.08.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 보정승인
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선국 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 백종열 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 홍영기 대한민국 서울특별시 성북구
4 정철승 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 문현성 대한민국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0168698-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0035865-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0360746-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0672679-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0672688-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0826812-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0080273-25
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0080442-45
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0341339-97
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0702021-50
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0702016-21
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0632940-65
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1018648-89
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1018666-01
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0821218-07
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 복수의 층으로 형성된 전이금속 디칼코게나이드 활성층; 상기 활성층 상에 서로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 활성층 상에 상기 활성층을 보호하도록 형성된 패시베이션층; 및 상기 패시베이션층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 활성층은 130W 내지 150W의 세기로 30초 내지 60초 동안 인가된 산소(O2) 플라즈마 또는 산소화합물 플라즈마에 의하여 표면처리되어, 상기 활성층의 표면이 친수성을 나타내며, 상기 패시베이션층은 원자층증착법(ALD), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering)에 의하여 형성되며 상기 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판의 전체를 커버하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 활성층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀렌화몰리브덴(MoSe2), 이텔루륨화몰리브덴(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2), 이셀렌화텅스텐(WSe2) 및 이텔루륨화텅스텐(WTe2)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서,상기 패시베이션층은 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화실리콘(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화이트륨(Y2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화질소(SiNx) 및 유기막으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터
4 4
기판 상에 전이금속 디칼코게나이드 활성층을 복수의 층으로 형성하는 단계; 130W 내지 150W의 세기로 30초 내지 60초 동안 인가된 산소(O2) 플라즈마 또는 산소화합물 플라즈마를 이용하여 상기 활성층을 표면처리함으로써 상기 활성층의 표면이 친수성을 나타내는 단계; 상기 활성층 상에 서로 이격되도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 원자층증착법(ALD), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 상기 활성층 상에 상기 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판의 전체를 보호하는 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 상기 패시베이션층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서,상기 활성층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀렌화몰리브덴(MoSe2), 이텔루륨화몰리브덴(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2), 이셀렌화텅스텐(WSe2) 및 이텔루륨화텅스텐(WTe2)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 패시베이션층은 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화실리콘(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화이트륨(Y2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화질소(SiNx) 및 유기막으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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