| 1 |
1
서로 동일한 폭을 가지며, 평행하게 형성된 이븐 활성영역 및 오드 활성영역;
상기 이븐 및 오드 활성영역 상에 형성된 셀렉트 라인;
상기 이븐 활성영역 상에 형성되며, 상기 셀렉트 라인과 제1 간격을 갖는 이븐 콘택 플러그;
상기 오드 활성영역 상에 형성되며, 상기 셀렉트 라인과의 간격이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖는 오드 콘택 플러그;
상기 이븐 콘택 플러그와 전기적으로 연결되며 제1 크기를 갖는 이븐 비트라인; 및
상기 오드 콘택 플러그와 전기적으로 연결되며 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 오드 비트라인을 포함하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 셀렉트 라인은 드레인 셀렉트 라인으로 형성된 반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 이븐 비트라인은 상기 오드 비트라인보다 폭이 좁은 반도체 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,
상기 오드 비트라인의 폭은 상기 이븐 비트라인의 폭보다 최대 2배 더 넓은 반도체 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 이븐 비트라인은 상기 오드 비트라인보다 두께가 낮은 반도체 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 오드 비트라인의 두께는 상기 이븐 비트라인의 두께보다 최대 2배 더 두꺼운 반도체 소자
|
| 7 |
7
활성영역의 서로 다른 영역 상에 형성된 제1 셀블록 및 제2 셀블록;
상기 제1 셀블록 및 상기 제2 셀블록 사이의 상기 활성영역 상에 형성되며, 상기 제1 셀블록과 더 가까운 위치에 형성된 콘택 플러그; 및
상기 콘택 플러그와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 셀블록 상에서는 제1 크기를 갖고, 상기 제2 셀블록 상에서는 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 비트라인을 포함하는 반도체 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,
상기 제1 셀블록 및 상기 제2 셀블록 각각은 다수개의 워드라인들, 소스 셀렉트 라인 및 드레인 셀렉트 라인을 포함하며, 상기 다수개의 워드라인들은 상기 소스 셀렉트 라인과 상기 드레인 셀렉트 라인 사이에서 직렬로 연결되는 반도체 소자
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,
상기 제1 셀블록 및 상기 제2 셀블록에 각각 포함된 상기 드레인 셀렉트 라인은 상기 콘택 플러그를 사이에 두고 서로 평행하게 형성된 반도체 소자
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,
상기 비트라인은 상기 제1 셀블록보다 상기 제2 셀블록 상에서 폭이 더 좁게 형성된 반도체 소자
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,
상기 비트라인은 상기 제1 셀블록보다 상기 제2 셀블록 상에서 두께가 더 두껍게 형성된 반도체 소자
|
| 12 |
12
서로 동일한 폭을 가지며, 평행하게 형성된 이븐 활성영역 및 오드 활성영역;
상기 이븐 및 오드 활성영역 상에 형성된 셀렉트 라인;
상기 이븐 활성영역 상에 형성되고, 상기 셀렉트 라인과 제1 간격을 가지며 제1 크기로 형성된 이븐 콘택 플러그; 및
상기 오드 활성영역 상에 형성되고, 상기 셀렉트 라인과의 간격이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 가지며 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기로 형성된 오드 콘택 플러그를 포함하는 반도체 소자
|
| 13 |
13
서로 동일한 폭을 가지며, 평행하게 형성된 이븐 활성영역 및 오드 활성영역;
상기 이븐 및 오드 활성영역 상에 형성된 셀렉트 라인;
상기 이븐 활성영역 상에 형성되며, 상기 셀렉트 라인과 제1 간격을 갖는 이븐 콘택 플러그;
상기 오드 활성영역 상에 형성되며, 상기 셀렉트 라인과의 간격이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖는 오드 콘택 플러그;
상기 이븐 콘택 플러그와 전기적으로 연결된 이븐 비트라인; 및
상기 오드 콘택 플러그와 전기적으로 연결되며 상기 이븐 비트라인보다 비저항이 작은 오드 비트라인을 포함하는 반도체 소자
|
