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M2AlC 맥스상 벌크(M은 전이금속을 나타낸다)를 불산 처리하여 M2C(OH)xFy 맥세인 벌크(0003c#x≤2, 0003c#y≤2, 0003c#x+y≤2)를 형성하는 단계; 및M2C(OH)xFy 맥세인 벌크를 이용하여 수소 가스(H2) 공급 조건에서 900℃ 이상의 온도에서 어닐링 공정을 수행하여 불소원자의 함량이 전체의 2 원자% 미만이고 반도체 특성을 갖는 M2COx 맥세인 박막을 형성하는 단계를 포함하는,2차원 맥세인 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 M2COx 맥세인 박막을 형성하는 단계는M2C(OH)xFy 맥세인 벌크를 박리하여 M2C(OH)xFy 맥세인 전구 박막을 형성하는 단계; 및M2C(OH)xFy 맥세인 전구 박막에 대해서 어닐링 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,2차원 맥세인 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 M2COx 맥세인 박막을 형성하는 단계는M2C(OH)xFy 맥세인 벌크에 대해서 어닐링 공정을 수행하여 M2COx 맥세인 벌크를 형성하는 단계; 및M2COx 맥세인 벌크를 박리하여 M2COx 맥세인 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,2차원 맥세인 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 어닐링 공정은 1,100℃에서 수행되고, M2COx 맥세인 박막은 불소를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,2차원 맥세인 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,M2COx 맥세인 박막은 밴드갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는,2차원 맥세인 박막의 제조 방법
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M2AlC 맥스상 벌크(M은 전이금속을 나타낸다)를 불산 처리하여 M2C(OH)xFy 맥세인 벌크(0003c#x≤2, 0003c#y≤2, 0003c#x+y≤2)를 형성하는 단계;M2C(OH)xFy 맥세인 벌크를 이용하여 수소 가스(H2) 공급 조건에서 900℃ 이상의 온도에서 어닐링 공정을 수행하여 M2COx 맥세인 박막을 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 및2개의 전극들과 상기 채널층이 콘택하면서, 2개의 전극들은 서로 이격되도록 배치시키는 단계를 포함하는,전자 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는M2C(OH)xFy 맥세인 벌크에 대해서 어닐링 공정을 수행하여 M2COx 맥세인 벌크를 형성하는 단계;M2COx 맥세인 벌크를 박리하는 단계; 및베이스 기판 상에 박리된 M2COx 맥세인 박막을 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는M2C(OH)xFy 맥세인 벌크를 박리하는 단계;베이스 기판 상에 박리된 M2C(OH)xFy 맥세인 전구 박막을 전사하는 단계; 및M2C(OH)xFy 맥세인 전구 박막이 형성된 베이스 기판을 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
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소스 전극;상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각과 접촉하고 이들 사이에 개재되며, 채널층으로서 청구항 1의 방법에 따라 제조된 M2COx 맥세인 박막(1≤x≤2)을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자 소자
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