맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

2차원 박막 표면 처리 방법 및 이를 포함하는 전자 소자의 제조 방법(SURFACE TREATMENT METHOD OF 2-DIMENSIONAL THIN LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRIC ELEMENT)

  • 기술번호 : KST2017014594
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 2차원 박막 표면 처리 방법 및 이를 이용한 전자 소자의 제조 방법에서, 2차원 박막 표면 처리 방법은 흑린 벌크(black phosphorous bulk)를 이용하여 베이스 기판 상에 흑린 박막을 형성하는 단계 및 흑린 박막의 표면을 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.04.09) H01L 29/10 (2016.04.09) H01L 21/67 (2016.04.09) H05H 1/46 (2016.04.09) H01J 49/10 (2016.04.09) H01L 21/78 (2016.04.09)
CPC H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01) H01L 21/02046(2013.01)
출원번호/일자 1020160025335 (2016.03.02)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0102771 (2017.09.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.02)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이성주 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 가정원 중국 경기도 수원시 장안구
3 장성규 대한민국 경기도 부천시 원미구
4 전재호 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0205175-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0318542-85
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0064299-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0636295-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0746117-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0746100-44
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0860832-34
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0134557-97
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0230641-54
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0230642-00
13 등록결정서
Decision to grant		 2018.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0500178-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
흑린 벌크(black phosphorous bulk)에서 흑린 박막을 박리하여, 박리된 흑린 박막을 베이스 기판 상에 배치함으로써 흑린 박막을 형성하는 단계: 및상기 흑린 벌크로부터 박리되어 베이스 기판 상에 배치된 흑린 박막의 표면에 대해 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 처리하여 상기 흑린 박막 표면의 미세 돌기들을 제거함으로써 흑린 박막의 표면을 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,2차원 박막 표면 처리 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 흑린 박막을 형성하는 단계에서 흑린 박막의 표면에 산화인이 형성되거나 불순물로 오염되고,흑린 박막의 표면을 평탄화하는 단계에서 흑린 박막의 표면 평탄화와 함께 산화인이나 불순물이 제거되는 것을 특징으로 하는,2차원 박막 표면 처리 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 흑린 박막의 표면을 평탄화하는 단계에서 유도 결합 플라즈마 처리된 흑린 박막의 두께는 상기 흑린 박막의 두께보다 얇고,상기 흑린 박막의 표면을 평탄화하는 단계에서 유도 결합 플라즈마 처리된 흑린 박막의 표면 거칠기는 상기 흑린 벌크로부터 박리된 흑린 박막의 표면 거칠기보다 낮은 것을 특징으로 하는,2차원 박막 표면 처리 방법
4 4
흑린 벌크(black phosphorous bulk)에서 흑린 박막을 박리하여, 박리된 흑린 박막을 베이스 기판 상에 배치하여 흑린 박막(black phosphorous)을 형성하는 단계;상기 흑린 벌크로부터 박리되어 베이스 기판 상에 배치된 흑린 박막의 표면을 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 1차 처리하는 1차 평탄화 단계;ICP 처리된 흑린 박막 상에 서로 이격된 2개의 전극들을 형성하는 단계; 및상기 전극들 사이로 노출된 흑린 박막을 ICP 2차 처리하는 2차 평탄화 단계를 포함하고,상기 1차 평탄화 단계 및 상기 2차 평탄화 단계 각각에서흑린 박막 표면의 미세 돌기들이 유도 결합 플라즈마에 의해서 제거되어 흑린 박막의 표면이 평탄화되는 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 흑린 박막을 형성하는 단계는테이프를 이용하여 흑린 벌크(black phosphorous bulk)에서 박리하여 흑린 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 2차 평탄화 단계에서 ICP 2차 처리된 흑린 박막의 두께는 상기 ICP 1차 처리된 흑린 박막의 두께보다 얇고,상기 1차 평탄화 단계에서 ICP 1차 처리된 흑린 박막의 두께의 최초에 베이스 기판 상에 형성된 흑린 박막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
7 7
제4항에 있어서,상기 2차 평탄화 단계 후에, 흑린 박막 및 2개의 전극들이 형성된 베이스 기판 상에 상기 2개의 전극들을 커버하는 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
8 8
제4항에 있어서,상기 2차 평탄화 단계에서 ICP 2차 처리된 흑린 박막의 표면 거칠기는 상기 ICP 2차 처리 전에 전극들 사이로 노출된 흑린 박막의 표면 거칠기보다 낮은 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
9 9
제4항에 있어서,상기 2차 평탄화 단계에서 ICP 2차 처리된 흑린 박막의 두께는 50 nm 이하 인 것을 특징으로 하는,전자 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 선행공정·플랫폼기술연구개발사업 M3D 집적 초절전 아키텍처 구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 창의소재디스커버리사업 다중 에너지 준위 유·무기 초분자구조체 소재를 활용한 소재/소자 통합형 동시설계 기반 다치로직 소자기술
3 미래창조과학부 광주과학기술원 글로벌프론티어연구개발사업(하이브리드 인터페이스 기반 미래소재연구) 인공 두뇌급 고성능 소자 구현을 위한 3D 집적 반도체소재 원천기술 개발
4 미래창조과학부 세종대학교 미래유망융합기술파이오니어사업 유해감성의 선택적 미세제어를 위한 나노공정 기반 생체삽입형 집적소자 개발