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플러렌을 전구체로 이용하는 대면적 그래핀의 제조방법(Method for preparing large-area graphene sheet by using fullerene as precursor)

  • 기술번호 : KST2017015349
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플러렌(C60)을 전구체로 이용하는 대면적 그래핀의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 기판 표면의 이산화실리콘막 상에 스퍼터법으로 금속촉매인 니켈 박막을 적층하는 단계; 플러렌을 전구체로 사용하여 진공열증착법으로 상기 니켈 박막 상에 분해된 플러렌의 박막을 적층하는 단계; 및 상기 적층된 구조체를 어닐링하여 다층의 시트형 그래핀을 얻는 단계;를 포함함으로써, 종래의 식각 공정 및 전이 공정을 거치지 않으므로 공정이 단순하고 친환경적이며, 조각 형태의 그래핀이 아닌 대면적 시트형 그래핀을 효과적으로 제조할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL C01B 31/04 (2016.04.27) C23C 14/18 (2016.04.27) C23C 14/34 (2016.04.27) C23C 14/06 (2016.04.27) C23C 14/24 (2016.04.27) C23C 28/00 (2016.04.27) C23C 14/58 (2016.04.27)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020160034183 (2016.03.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0109938 (2017.10.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 서울특별시 성북구
2 최원창 대한민국 서울특별시 성북구
3 정훈기 대한민국 서울특별시 성북구
4 후다야 차이룰 인도네시아 서울특별시 성북구
5 우재영 대한민국 서울특별시 성북구
6 김지영 대한민국 서울특별시 성북구
7 우주만 대한민국 서울특별시 성북구
8 김아영 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0276287-81
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0590689-19
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0558957-81
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0946855-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0946854-86
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0891292-05
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0062899-74
8 법정기간연장승인서
2018.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0012555-61
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0156535-08
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0156536-43
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0136784-37
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번호 청구항
1 1
탈이온수, HF 용액 및 아세톤의 혼합용액으로 전처리한 실리콘 기판 표면의 이산화실리콘막 상에 스퍼터법으로 금속촉매인 니켈 박막을 적층하는 단계; 플러렌(C60)을 전구체로 사용하여 진공열증착법으로 상기 니켈 박막 상에 분해된 플러렌의 박막을 적층하는 단계; 및 상기 적층된 구조체를 어닐링(annealing)하여 다층의 시트형 그래핀을 얻는 단계;를 포함하고, 진공열증착을 위한 기판온도는 400℃ 이상인 시트형 그래핀의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 스퍼터법은 rf(radio-frequency) 플라즈마를 사용하는 것인 시트형 그래핀의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 니켈 박막은 두께가 5 내지 100 nm인 것인 시트형 그래핀의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 진공열증착은 플라즈마 없이 수행하는 것인 시트형 그래핀의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 어닐링은 780℃ 내지 820℃의 온도에서 10분 내지 20분 동안 이루어지는 것인 시트형 그래핀의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 어닐링은 튜브퍼니스를 이용하여 수행하는 것인 시트형 그래핀의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 어닐링 후 얻어지는 시트형 그래핀의 층수는 15층 내지 17층인 것인 시트형 그래핀의 제조방법
9 9
제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 기재된 방법에 의해 제조된 시트형 그래핀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 기후변화대응기술개발 리튬이차전지용 전극소재 자기완화형 구조제어 및 계면기능제어 기술개발