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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018002254
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 소자의 문턱전압 이하 기울기를 감소시켜 특성이 향상된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 기술이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 기판; 게이트 절연막; 및 금속 산화물 반도체 박막을 포함하며, 상기 금속 산화물 반도체 박막은 GaZnON, YZnON, ZrZnON, HfZnON 및 LaZnON 중에서 선택되는 물질로 형성된다.
Int. CL H01L 29/786 (2016.09.10) H01L 21/324 (2016.09.10) H01L 29/51 (2016.09.10) H01L 21/02 (2016.09.10)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020160105254 (2016.08.19)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0020621 (2018.02.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재경 대한민국 서울특별시 강서구
2 최리노 대한민국 인천광역시 남구
3 이지원 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0805214-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;게이트 절연막; 및금속 산화물 반도체 박막을 포함하며,상기 금속 산화물 반도체 박막은GaZnON, YZnON, ZrZnON, HfZnON 및 LaZnON 중에서 선택되는 물질로 형성된 박막인박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속 산화물 반도체 박막은산소 분위기에서 열처리된 박막인박막 트랜지스터
3 3
기판 상에 금속 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 및산소 분위기에서 상기 금속 산화물 반도체 박막을 열처리하는 단계를 포함하며,상기 금속 산화물 반도체 박막은GaZnON, YZnON, ZrZnON, HfZnON 및 LaZnON 중에서 선택되는 물질로 형성된 박막인박막 트랜지스터 제조 방법
4 4
산소 및 질소 분위기에서, 타겟 물질을 이용하여 기판 상에 금속 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 및산소 분위기에서 상기 금속 산화물 반도체 박막을 열처리하는 단계를 포함하며,상기 타겟 물질은 Ga, Y, Zr, Hf 및 La 중에서 선택된 물질이 도핑된 아연 금속인박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) [이관과제] 초고이동도 (≥120 ㎠/Vs) 저온 박막 산화물계 트랜지스터 소재 및 공정 기술 개발