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기판;상기 기판 상에 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고, 질화물(nitride)을 포함하는 제1 활성 패턴(first active pattern); 및상기 제1 활성 패턴 상에 배치되어 상기 제1 활성 패턴과 접촉하고, 유기물(organic material)을 포함하는 제2 활성 패턴(second active pattern)을 포함하되,상기 제1 활성 패턴은, 상기 제1 활성 패턴의 상부면에 인접한 제1 영역 및 상기 제1 활성 패턴의 하부면에 인접한 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 사이에 산소의 농도 구배가 제공되는 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역으로 갈수록 산소의 농도가 감소하는 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 제1 활성 패턴은, 아연(Zn), 산소(O) 및 질소의 화합물로 형성되고, 상기 제2 활성 패턴은, 광민감성 유기 물질로 형성되는 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제5 항에 있어서,상기 광민감성 유기 물질은, PC71BM 또는 PBDTT-DPP:PC71BM 인 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 기판 상의 게이트 전극을 더 포함하되, 상기 게이트 전극은, 상기 기판 및 상기 게이트 절연막 사이에 배치되고, 상기 게이트 절연막으로 둘러 싸인 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제7 항에 있어서, 상기 기판은, 절연 기판인 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 기판은, 축퇴된 반도체 기판인 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 제1 활성 패턴 일측의 소스 전극, 및 상기 제1 활성 패턴 타측의 드레인 전극을 포함하되,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 상기 제1 활성 패턴의 상기 일측 및 상기 타측과 접촉되는 것을 포함하는 포토트랜지스터
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제10 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 일 부분들은, 상기 제1 활성 패턴 및 상기 제2 활성 패턴 사이에 배치되는 것을 포함하는 포토트랜지스터
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기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 질화물을 포함하는 제1 활성 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 활성 패턴의 상부면을 산화시켜, 상기 제1 활성패턴의 상부면에 인접한 제1 영역 및 상기 제1 활성 패턴의 하부면에 인접한 제2 영역 사이에 산소의 농도 구배를 형성하는 단계; 및상기 제1 활성 패턴 상에 배치되어 상기 제1 활성 패턴과 접촉하고, 유기물을 포함하는 제2 활성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토트랜지스터의 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 제1 활성 패턴의 상기 상부면은, 열 산화되는 것을 포함하는 포토트랜지스터의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하기 전, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 절연막은, 상기 게이트 전극 상에 형성되고, 상기 기판은 절연기판인 것을 포함하는 포토트랜지스터의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제1 활성 패턴을 형성한 후 상기 제2 활성 패턴을 형성하기 전, 상기 제1 활성 패턴의 일측 및 타측에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계를 더 포함하는 포토트랜지스터의 제조 방법
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