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유기 소자의 보호막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141214
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 소자의 보호막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 소자의 표면에 유기금속 소스를 흡착시키는 단계; 흡착되지 않은 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 산소를 포함하는 소스 및 질소를 포함하는 소스를 플라즈마와 함께 주입하여 금속 옥시나이트라이드층을 형성하는 단계; 상기 금속 옥시나이트라이드층을 형성하지 않은 잔류 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 및 상기 형성된 금속 옥시나이트라이드층의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 유기 소자의 보호막을 제조하는 방법에 관한 것이다.상기 유기 소자의 보호막은 막 밀도가 우수하고 소수성을 나타내 외부로부터 소자 내부로 침투하는 산소, 수분 또는 불순물의 투과를 억제하여 유기 소자의 수명을 높일 뿐만 아니라, 단차가 큰 구조를 지닌 소자에도 바람직하게 적용된다. 이러한 유기 소자로는 적어도 하나의 폴리머층을 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자(PoRAM) 및 유기전계발광소자(OLED) 등이 가능하다.PoRAM, OLED, 수분, 산소, 금속 산화물, 원자층
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020070069919 (2007.07.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0841679-0000 (2008.06.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 김웅선 대한민국 서울 강동구
3 고명균 대한민국 서울 성동구
4 문연건 대한민국 서울 광진구 군
5 김태섭 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0507116-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0029542-80
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0329718-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 유기 소자의 표면에 유기금속 소스를 흡착시키는 단계; b) 흡착되지 않은 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; c) 산소를 포함하는 소스 및 질소를 포함하는 소스를 플라즈마와 함께 주입하여 금속 옥시나이트라이드층을 형성하는 단계;d) 상기 금속 옥시나이트라이드층을 형성하지 않은 잔류 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 및 e) 상기 형성된 금속 옥시나이트라이드층의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 유기 소자의 보호막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 옥시나이트라이드층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법:[화학식 1]MOxNy(상기 화학식 1에서, M은 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 금속 중에서 선택된 1종이고, 0＜x＜3인 경우 0＜y＜3-x, 및 0＜x＜2인 경우 0＜y＜2-x 또는 0＜y＜3-x 이다)
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유기금속 소스는 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 금속 중에서 선택된 1종을 포함하는 염화물, 수산화물, 옥시수산화물, 질산염, 탄산염, 초산염, 옥살산염, 시트르산염, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 유기금속 전구체(precursor)인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 단계 a)는 60 내지 250 ℃의 온도에서 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 단계 b) 및 d)의 불활성 가스는 Ar, N2 및 이들의 혼합 기체인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 단계 c)의 산소를 포함하는 소스는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, CH3OH, C2H5OH, C3H7OH 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종이고, 질소를 포함하는 소스는 N2, N2O, NH3 또는 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 단계 c)의 플라즈마는 50 W에서 200 W 범위에서 처리하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 단계 a) 내지 c)를 100 내지 1000회 동안 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 단계 e)의 플라즈마 처리는 Ar, N2, N2를 포함하는 기체, N2O, NH3 또는 이들의 혼합 가스를 주입하여 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 단계 e)의 플라즈마는 50 W에서 500 W 범위에서 처리하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 막 밀도가 1
12 12
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 단일 박막 또는 다층 박막의 형태를 갖는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 유기 소자는 적어도 하나의 폴리머층을 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자(PoRAM) 또는 유기전계발광소자(OLED)인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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