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3D 구현 발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020008764
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3D 구현 발광 소자가 제공된다. 상기 3D 구현 발광 소자는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 제1 발광 분자가 마련되는 제1 발광 영역, 및 제2 발광 분자가 마련되는 제2 발광 영역으로 구획되는 발광층을 포함하되, 상기 제1 발광 분자는 우원 편광을 발광하도록 제1 방향으로의 나선형 적층 구조를 이루고, 상기 제2 발광 분자는 좌원 편광을 발광하도록 제2 방향으로의 나선형 적층 구조를 이룰 수 있다.
Int. CL H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01)
CPC H01L 27/3211(2013.01) H01L 27/3211(2013.01) H01L 27/3211(2013.01) H01L 27/3211(2013.01) H01L 27/3211(2013.01)
출원번호/일자 1020180162967 (2018.12.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0074507 (2020.06.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재훈 서울특별시 강남구
2 유창재 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-1263996-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0037136-79
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0016862-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0235223-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-0235222-57
9 등록결정서
Decision to grant
2020.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0474811-70
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 제1 전극;상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 제1 발광 분자가 마련되는 제1 발광 영역, 및 제2 발광 분자가 마련되는 제2 발광 영역으로 구획되는 발광층; 및상기 제1 전극 하측 또는 상기 제2 전극 상측에 배치되는 편광층을 포함하되, 상기 제1 발광 분자는 우원 편광을 발광하도록 제1 방향으로의 나선형 적층 구조를 이루고, 상기 제2 발광 분자는 좌원 편광을 발광하도록 제2 방향으로의 나선형 적층 구조를 이루되, 상기 제1 및 제2 발광 분자는 카이럴 도펀트 없이 상기 제1 및 제2 방향으로의 나선형 적층 구조를 이루고,상기 편광층은, λ/4를 포함하지 않고 상기 제1 방향 및 제2 방향과 동일한 방향으로 편광되는, 3D 구현 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 발광층 사이에 배치되는 정공 제공층, 및 상기 제2 전극 및 상기 발광층 사이에 배치되는 전자 제공층을 더 포함하되, 상기 제1 발광 분자는, 상기 제1 발광 영역 및 상기 정공 제공층의 계면에서 제1 방위로 정렬되고, 상기 제2 발광 분자는 상기 제2 발광 영역 및 상기 정공 제공층의 계면에서 제2 방위로 정렬되는 것을 포함하는, 3D 구현 발광 소자
3 3
제2 항에 있어서,상기 제1 및 제2 발광 분자는, 상기 전자 제공층과 인접한 계면에서 상기 제1 및 제2 방위와 다른 제3 방위로 정렬되는 것을 포함하는, 3D 구현 발광 소자
4 4
제2 항에 있어서,상기 제1 및 제2 발광 분자는, 상기 정공 제공층과의 계면에서 상기 전자 제공층과의 계면 방향으로 나선형 적층 구조를 갖는, 3D 구현 발광 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1 항에 있어서, 상기 기판은 제1 적색 기판 영역, 제1 녹색 기판 영역, 및 제1 청색 기판 영역을 포함하는 제1 기판 영역, 및 제2 적색 기판 영역, 제2 녹색 기판 영역, 및 제2 청색 기판 영역을 포함하는 제2 기판 영역을 포함하되, 상기 제1 적색 기판 영역, 제1 녹색 기판 영역, 및 제1 청색 기판 영역은 서로 인접하여 나란히 배치되고, 상기 제2 적색 기판 영역, 제2 녹색 기판 영역, 및 제2 청색 기판 영역은 서로 인접하여 나란히 배치되는 것을 포함하는 3D 구현 발광 소자
8 8
제1 항에 있어서, 상기 기판은 제1 적색 기판 영역, 제1 녹색 기판 영역, 및 제1 청색 기판 영역을 포함하는 제1 기판 영역, 및 제2 적색 기판 영역, 제2 녹색 기판 영역, 및 제2 청색 기판 영역을 포함하는 제2 기판 영역을 포함하되, 상기 제1 및 제2 적색 기판 영역은 서로 인접하여 나란히 배치되고, 상기 제1 및 제2 녹색 기판 영역은 서로 인접하여 나란히 배치되고, 상기 제1 및 제2 청색 기판 영역은 서로 인접하여 나란히 배치되는 것을 포함하는 3D 구현 발광 소자
9 9
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에, 카이럴 도펀트 없이 우원 편광을 발광하도록 제1 방향으로 나선형 적층 구조를 갖는 제1 발광 분자가 마련되는 제1 발광 영역, 및 카이럴 도펀트 없이 좌원 편광을 발광하도록 제2 방향으로 나선형 적층 구조를 갖는 제2 발광 분자가 마련되는 제2 발광 영역을 포함하는 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 하측 또는 상기 제2 전극 상측에, λ/4를 포함하지 않고 상기 나선형 적층 구조의 나선 방향과 동일한 방향을 갖는 편광층을 형성하는 단계를 포함하는 3D 구현 발광 소자의 제조방법
10 10
제9 항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이후 상기 발광층을 형성하는 단계 이전,상기 제1 전극 상에, 제1 정공 영역 및 제2 정공 영역으로 구획되는 정공 제공층을 형성하는 단계; 및상기 제1 정공 영역을 제1 방위로 배향시키고, 상기 제2 정공 영역을 제2 방위로 배향시키는 단계를 더 포함하고, 상기 발광층을 형성하는 단계 이후 상기 제2 전극을 형성하는 단계 이전상기 발광층의 상면을 상기 제1 및 제2 방위와 다른 제3 방위로 배향시키는 단계, 및상기 발광층 상에 전자 제공층을 형성하는 단계를 더 포함하는 3D 구현 발광 소자의 제조방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 전자 제공층을 형성하는 단계 이후, 상기 제2 전극을 형성하는 단계 이전, 상기 발광 분자를 열처리 및 냉각시키는 단계를 더 포함하되, 상기 발광 분자는 열처리 및 냉각됨에 따라, 상기 정공 제공층과의 계면에서 상기 전자 제공층과의 계면 방향으로 나선형 적층 구조로 형성되는 것을 포함하는 3D 구현 발광 소자의 제조방법
12 12
제9 항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이후 상기 발광층을 형성하는 단계 이전,상기 제1 전극 상에, 제1 정공 영역 및 제2 정공 영역으로 구획되는 정공 제공층을 형성하는 단계; 및상기 제1 정공 영역을 제1 방위로 배향시키고, 상기 제2 정공 영역을 제2 방위로 배향시키는 단계를 더 포함하고, 상기 발광층을 형성하는 단계 이후 상기 제2 전극을 형성하는 단계 이전상기 발광층 상에 전자 제공층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 제공층의 상면을 상기 제1 및 제2 방위와 다른 제3 방위로 배향시키는 단계를 더 포함하는 3D 구현 발광 소자의 제조방법
13 13
제12 항에 있어서, 상기 전자 제공층의 상면을 제3 방위로 배향시키는 단계 이후, 상기 제2 전극을 형성하는 단계 이전, 상기 발광 분자를 열처리 및 냉각시키는 단계를 더 포함하되, 상기 발광 분자는 열처리 및 냉각됨에 따라, 상기 정공 제공층과의 계면에서 상기 전자 제공층과의 계면 방향으로 나선형 적층 구조로 형성되는 것을 포함하는 3D 구현 발광 소자의 제조방법
14 14
삭제
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 50:1 이상의 편광비를 갖는 고효율/고편광 유기 발광 소자 개발